Mos Transistors
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1. Statistical model for the circuit bandwidth dependence of low-frequency noise in deep-submicrometer MOSFETs
This paper covers measurement, analytical analysis, and Monte Carlo simulation of the frequency and bandwidth dependence of MOSFET low-frequency (LF) noise behavior. The model is based on microscopic device physics parameters, which cause statistical variation in the LF noise behavior of individual devices. Analytical equations for the statistical parameters
Publicado em: 2011
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2. A compact model of MOSFET mismatch for circuit design
This paper presents a compact model for MOS transistor mismatch. The mismatch model uses the carrier number fluctuation theory to account for the effects of local doping fluctuations along with an accurate and compact dc MOSFET model. The resulting matching model is valid for any operation condition, from weak to strong inversion, from the linear to the satu
Publicado em: 2011
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3. Modeling of statistical low-frequency noise of deep-submicrometer MOSFETs
The low—frequency noise (LF-noise) of deep-submicrometer MOSFETs is experimentally studied with special emphasis on yield relevant parameter scattering. A novel modeling approach is developed which includes detailed consideration of statistical effects. The model is based on device physics parameters which cause statistical variations in LF-noise behavior
Publicado em: 2011
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4. Desenvolvimento de sistemas e medida de ruído de alta e baixa frequência em dispositivos semicondutores / System for high and low frequency noise measurements design and semiconductor devices characterization
Este trabalho teve como objetivo a montagem de um sistema de caracterização de ruído de alta e de baixa freqüência, utilizando equipamentos disponíveis no Centro de Componentes Semicondutores da Unicamp. Foi montado um sistema para a caracterização do ruído de baixa freqüência em dispositivos semicondutores e desenvolveu-se um método para a anál
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 24/02/2010
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5. Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura. / Analog operation of multiple gate transistors as a function of the temperature.
In this work it is presented an analysis of the analog operation of multiple gate transistors, evaluating the Early Voltage, the open-loop voltage gain, the transconductance over the drain current ratio (gm/IDS), the drain conductance and, especially, the harmonic distortion exhibited by these devices. Along the work, FinFETs, Gate-All-Around (GAA) devices w
Publicado em: 2010
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6. An estimation method for gate delay variability in nanometer CMOS technology
In the nanoscale regime of VLSI technology, circuit performance is increasingly affected by variational effects such as process variations, power supply noise, coupling noise and temperature changes. Manufacturing variations may lead to significant discrepancies between designed and fabricated integrated circuits. Due to the shrinking of design dimensions, t
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2010
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7. Geração de tensão de referencia e sinal de sensoriamento termico usando transistores MOS em forte inversão / Reference voltage and temperature sensing signal generation using MOS transistors in strong inversion
Fontes de referência de tensão e sensores de temperatura são blocos extensivamente utilizados em sistemas microeletrônicos. Como alternativa à aplicação de estruturas consolidadas, mas protegidas por acordos de propriedade intelectual, é permanente a demanda pelo desenvolvimento de novas técnicas e estruturas originais destes circuitos. Também se d
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 07/08/2009
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8. A modified lightly doped drain mosfet for very large scale integration
Reducing MOSFET dimensions while maintaining a constant supply voltage leads to higher electric fields inside the active regions of VLSI transistors. Operation of micron and submicron MOSFETs in the presence of high-field effects has required design innovations so that a constant supply voltage, acceptable punchthrough voltage, and long-term reliability are
Publicado em: 2009
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9. Fabricação e caracterização de sensor de pixel ativo com tecnologia NMOS de porta metalica / Fabrication and characterization of active pixel sensors using metal gate NMOS technology
Active Pixel Sensors (APS) based on a simple nMOS technology with high aspect ratio may present good sensitivity to photodetection and offer a low cost option for image sensing circuits. This work presents the layout, fabrication and characterization of photodiodes, transistors and APSs built at the Center for Semiconductor Components (CCS). All the process
Publicado em: 2009
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10. Chlorine plasma etching of polysilicon films for MEMS and MOS devices / Corrosão de filmes de silicio policristalino por plasma para aplicações em dispositivos MEMS e MOS utilizando misturas de gases com cloro
This work presents the results and the discussion about mechanisms of plasma etching of polysilicon and silicon films for applications in MEMS and MOS devices. The etching was performed in a conventional reactor of plasma etching, Applied Materials PE8300A model, in a RIE mode (Reactive Ion Etching). For application in MEMS, polysilicon etching with anisotro
Publicado em: 2009
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11. Modelo do descasamento (mismatch) entre transistores MOS / Mismatch model for MOS transistors
Diversos modelos teóricos para o descasamento entre dispositivos na tecnologia MOS foram propostos desde a década de ’80, sendo que geralmente estes pecam ou pela simplicidade, sendo válidos apenas sob condições de operação específicas, ou por resultarem em expressões muito complexas, o que torna necessário o uso de pesados recursos computacionai
Publicado em: 2008
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12. Automação do projeto de módulos CMOS analógicos usando associações trapezoidais de transistores / Analog CMOS modules design automation using trapezoidal associations of transistors
A metodologia de projeto semi-customizado usando associações trapezoidais de transistores (TATs) é especialmente viável para o projeto de circuitos integrados mistos analógico- digitais. Vários trabalhos foram desenvolvidos demonstrando exemplos de aplicações que geraram bons resultados utilizando esta metodologia. Entretanto, ficou evidente a falta
Publicado em: 2008