Mos Transistors
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13. Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETS ultra-submicrométricos. / Study of gate induced floating body effect in the linear bias region in deep submicrometer nMOSFETs devices.
This work presents the study of the Gate Induced Floating Body Effect (GIFBE) that occurs in the SOI MOSFET technology. This study has been performed based on experimental results and on numerical simulations, which were an essential auxiliary tool to obtain a physical insight of this effect. Besides the contribution on the physical explanation of this pheno
Publicado em: 2008
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14. Modelagem, simulação e fabricação de circuitos analógicos com transistores SOI convencionais e de canal gradual operando em temperaturas criogênicas. / Modeling, simulation and fabrication of analog circuits with standard and graded-channel SOI transistors operating at cryogenic temperatures.
Neste trabalho apresentamos a análise do comportamento analógico de transistores MOS implementados em tecnologia Silício sobre Isolante (SOI), de canal gradual (GC) e com tensão mecânica aplicada ao canal, operando em baixas temperaturas (de 380 K a 90 K), em comparação com dispositivos SOI convencionais. Este estudo foi realizado utilizando-se medida
Publicado em: 2008
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15. Uma ferramenta para automação da geração do leiaute de circuitos analógicos sobre uma matriz de transistores MOS pré-difundidos
Este trabalho apresenta o LIT, uma ferramenta de auxílio ao projeto de circuitos integrados analógicos que utiliza a técnica da associação trapezoidal de transistores (TAT) sobre uma matriz digital pré-difundida. A principal característica é a conversão de cada transistor simples de um circuito analógico em uma associação TAT equivalente, seguido
Publicado em: 2007
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16. Study of the viability of production of semiconductors devices based on silicon carbide films grown by PECVD. / Estudo da viabilidade de fabricação de dispositivos semicondutores baseados em filmes de carbeto de silício crescidos por PECVD.
In this work we studied the viability to build devices based on stoichiometric amorphous silicon carbide semiconductor films (a-Si0.5C0.5:H), obtained by plasma enhanced chemical vapor deposition technique. The project proposal involves the realization of a series of studies that evaluate the potentialities of the a-SiC:H for the fabrication of simple semico
Publicado em: 2006
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17. Analogic memories characterization implemented with floating gate MOS transistors / Caracterização de memorias analogicas implementadas com transistores MOS floating gate
Monolithic integration of memories and analog circuits ,in the same die offers interesting advantages like: smaller application boards, higher robustness and mainly lower costs. Today, a profitable integration of these kind of circuit can only be possible using conventional CMOS technology, which allows efficiently extraordinary levels of integration. Thus,
Publicado em: 2005
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18. Proposta de um registrador ciclico para logica multi-valores e aplicação em um multiplicador quaternario / The cyclical register for MVL circuits (Multi-valued logic) and quaternary multiplier
The Cyclical Register for MVL circuits (Multi-valued Logic) proposed is composed by NMOS and PMOS Transistors. This circuit uses the advantage of certain secondary characteristics (normally undesirable) of the MOS transistors. One peculiarity of this register is that the logical levels are defined by itself with a very high precision ; this, permits to incre
Publicado em: 2005
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19. Fonte de tensão de referencia ajustavel implementada com transistores MOS / Adjustable voltage reference source implemented with MOS transistors
Uma nova técnica de compensação de temperatura para implementar tensões de referência em circuitos CMOS é descrita, desde o seu fundamento teórico até a comprovação experimental feita com amostras de circuitos integrados protótipos que a implementam. A ténica proposta se baseia no fato de que a tensão entre gate1, e fonte, VGS, de um transistor
Publicado em: 2005
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20. Determinação de regras de projeto e de parametros de simulação de um processo nMOS para fabricação de circuitos integrados
This work presents the development and the improvement of an nMOS device fabrication process used for microelectronics research and education. The electric characterization and the parameter extraction procedure for SPICE simulation were also presented. Initially, a study of the nMOS device fabrication process used in courses and researches at the center for
Publicado em: 2002
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21. PROJETO DE CÉLULAS CMOS ANALÓGICAS DE BAIXO CONSUMO A PARTIR DE TRANSISTORES OPERANDO EM INVERSÃO FRACA / DESIGN OF LOW POWER ANALOG CMOS CELLS FROM TRANSISTORS BIAS IN WEAK INVERSION
A indústria eletrônica tem apresentado uma demanda crescente pela fabricação de aparelhos onde o baixo consumo de energia é uma das características mais importantes. Como exemplo, temos os telefones celulares, os computadores pessoais portáteis e os implantes biomédicos. Este trabalho investiga o projeto e o layout de células analógicas de consumo
Publicado em: 1996
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22. Equacionamento, simulação e analise de transcondutores que utilizam o transistor MOS operando na região de saturação
This work presents the mathematical equations, simulations and detailed analysis of DC behavior, harmonic distortion, frequency response and input signal excursion of ten V-I converters, or tranconductors, that use MOS transistors on the saturation region of operation. Those transconductors are divided into four groups, which corresponds to the four chapters
Publicado em: 1995