Gasb
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1. Structural Characterization of ZnTe Grown by Atomic-Layer-Deposition Regime on GaAs and GaSb (100) Oriented Substrates
This work presents the characterization of ZnTe nanolayers grown on GaAs and GaSb (100) substrates by the Atomic Layer Deposition (ALD) regime. Under certain conditions, the alternating exposition of a substrate surface to the element vapours makes possible the growth of atomic layers in a reactor where the atmosphere is high-purity hydrogen. ZnTe was grown
Mat. Res.. Publicado em: 23/03/2017
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2. Crescimento e caracterização de cristais de GaSb e GaInSB obtidos através do método Czochralski com líquido encapsulante
Este trabalho descreve a obtenção e caracterização de cristais compostos semicondutores III-V GaSb e GaInSb, levemente dopados com alumínio (Al), cádmio (Cd) e telúrio (Te). O Antimoneto de Gálio é um composto semicondutor da família III-V, com característica optoeletrônica e termofotovoltaica, de aplicação preferencial para uma nova geração
Publicado em: 2011
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3. Impairment no setor público: particularidades das normas nacionais e internacionais
O impairment no setor público tem sido pouco discutido no meio acadêmico. Os órgãos normatizadores têm publicado pronunciamentos sobre o assunto, enquanto muitas dúvidas surgem e permanecem sem resposta. Diante disso, este artigo analisa as particularidades de normas nacionais e internacionais balizadoras do impairment no setor público: o Gasb 42, os
Revista de Administração Pública. Publicado em: 2010-08
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4. Estudo da influência do alumínio como dopante e do ultra-som em cristais de antimonieto de galio crescidos por LEC
Este trabalho descreve a obtenção e caracterização de cristais do composto semicondutor III-V-GaSb, crescidos a partir da fase líquida pelo método Czochralski e pela técnica do Líquido Encapsulante (LEC). Na parte experimental, apresenta-se o procedimento utilizado para o crescimento de cristais de GaSb não-dopados e dopados com Alumínio. Faz-se re
Publicado em: 2009
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5. Surface morphology analysis of GaInAsSb films grown by liquid phase epitaxy
We studied growth mechanisms in semiconducting Ga1 - xIn xAs ySb1 - y films grown by liquid phase epitaxy on (100) GaSb:Te (10(17) cm- 3) substrates at 600 ºC solution-substrate temperature. Atomic Force Microscopy (AFM) images of these films show step-like corrugations, undulations, grooves, and terraces. The terraces are a few nm in height and hundreds of
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2006-09
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6. Estudo de reconstrução (2x6) em GaSb (001)
O presente trabalho é um estudo teórico da reconstrução 2x6 GaSb(001), onde se caracterizou estrutural e eletronicamente três modelos, verificando qual deles era o mais provável do ponto de vista energético. Um dos modelos estudados foi proposto por Sieger et. Al. [1] a partir de observações experimentais e apresenta uma liberação de dois elétron
Publicado em: 2004
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7. Hole transport characteristics in pure and doped GaSb
The steady state hole transport properties of GaSb were investigated by the Ensemble Monte Carlo method (EMC). In our model we taken in to account heavy and light hole valence bands, and the following scattering mechanisms: inelastic acoustic phonon; polar optical phonon; nonpolar optical; ionized impurity. The theoretical calculations are compared with avai
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2002-06
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8. Crescimento de monocristais de GaSb, GaAs e InP pelo metodo Czochalski
Foram crescidos tarugos monocristalinos de antimoneto de gálio (GaSb), de arseneto de gálio (GaAs) e de fosfeto de índio (InP) utilizando-se as técnicas Czochra1ski,para o GaSb, e Liquid Encapsulated Czochralski (LEC), para os outros dois, tendo como objetivo o domíno e aperfeiçoamento das técnicas de crescimento e também a obtenção de lâminas mon
Publicado em: 1996
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9. Interações parametricas em guias de ondas de semicondutores 43m crescidos epitaxialmente
A disponibilidade de fontes de luz, assim como de detetores na região infravermelha, é de grande interesse devido à utilidade destes dispositivos. Aplicando os princípios da Óptica Não Linear aos Guias de Ondas, é possível conseguir dispositivos que, através de interações paramétricas, atuem como fontes de radiação coerente ou auxiliem na detec
Publicado em: 1996
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10. Efeito da variações composicionais e tratamentos termicos sobre as propriedades opticas do antimoneto de galio amorfo
Filmes de antimoneto de gálio amorfo foram preparados em um sistema de evaporação flash especialmente construído. O controle dos parâmetros de evaporação permitiu a obtenção de amostras de diferentes composições, inclusive estequiométricas. As propriedades físicas dos materiais foram analisadas usando as espectros copias óptica, de foto-elétro
Publicado em: 1994
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11. Estudo do crescimento epitaxial por fase liquida de GaSb, Ga1Sb e GaA1AsSb e sua aplicação em dispositivos lasers
Não informado
Publicado em: 1993
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12. Estudo de difusão de zinco em antimoneto de galio
Difusão de zinco em antimoneto de gálio foi estudada e um modelo para esta difusão foi proposto, baseado em nossos resultados experimentais em comparação com a solução da equação de Transporte de impurezas. Este estudo foi conduzido com o propósito de contribuir para a produção de dispositivos opto-eletrônicos. A variação da profundidade de ju
Publicado em: 1986