Estudo do crescimento epitaxial por fase liquida de GaSb, Ga1Sb e GaA1AsSb e sua aplicação em dispositivos lasers
AUTOR(ES)
Maria Beny Zakia Morosini
DATA DE PUBLICAÇÃO
1993
RESUMO
Não informado
ASSUNTO(S)
lasers semicondutores semicondutores dispositivos optoeletronicos epitaxia
ACESSO AO ARTIGO
http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000065390Documentos Relacionados
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