Estudo de reconstrução (2x6) em GaSb (001)

AUTOR(ES)
DATA DE PUBLICAÇÃO

2004

RESUMO

O presente trabalho é um estudo teórico da reconstrução 2x6 GaSb(001), onde se caracterizou estrutural e eletronicamente três modelos, verificando qual deles era o mais provável do ponto de vista energético. Um dos modelos estudados foi proposto por Sieger et. Al. [1] a partir de observações experimentais e apresenta uma liberação de dois elétrons por célula (2x6). Os outros dois modelos foram propostos por nós, a partir do modelo de Sieger. O primeiro modelo que propomos, será denominado de Modelo I (M-I) e obedece a regra de contagem de elétrons. O outro modelo que propomos, denominando de Modelo II (M-II), apresenta uma carência de dois elétrons por célula, para que todas as ligações sejam saturadas. No desenvolvimento deste trabalho foi utilizado o pacote computacional fhi98md [2] que realiza cálculos ab initio dentro da teoria do Funcional da Densidade. A resolução das equações de Hohn-Sham para a determinação da densidade eletrônica foi feita empregando-se pseudopotenciais de norma conservada na forma totalmente separável, conforme proposto por Kleinman e Bylander. Os termos de exchange e correlação foram descritos na aproximação do gradiente generalizado (GGA) de Perdew, Burke e Erzenhof. Obtivemos, a partir das análises de nossos resultados, que o modelo de Sieger é energeticamente mais provável do que o M-I por 0,82 eV e é energeticamente mais provável que o M-II por 0,86 eV. Análises das densidades totais de carga mostram que a formação da dupla camada de Sb na superfície GaSb(001)-(2x6) pode ser suportada pela presença de ligações covalentes entre os átomos de Sb da camada mais externa e os átomos de Sb da camada subsuperficial, com intensidades comparáveis às das ligações covalentes entre os dímeros de Sb.

ASSUNTO(S)

reconstrução 2x6 teoria do funcional da densidade superfícies (física) cálculos ab initio semicondutores gasb(001) fisica

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