Fosfeto De Indio
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1. Efeito de interface nas propriedades ópticas de pontos quânticos de InP/GaAs / Interface effect on the optical properties of InP/GaAs quantum dots
We studied the effect of different interface conditions on the optical properties of InP/GaAs self-assembled quantum dots grown by chemical beam epitaxy in the Stranskii-Krastanov mode. InP/GaAs quantum dots is expected to present type II band alignment, and only electrons are confined, whereas the holes are localized in the GaAs layers around the quantum do
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/08/2012
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2. Nanofios semicondutores : síntese e processos de formação / Semiconductor nanowires : synthesis and formation process
O estudo em nanofios semicondutores é crescente, seja pelo grande potencial de aplicações previsto para eles, seja para entender a dinâmica de formação dessas nanoestruturas. Entretanto, estes dois elementos estão ligados, pois é necessário entender o processo de síntese dos nanofios semicondutores para utilizar todo o seu potencial para aplicaçõ
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 28/02/2012
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3. FIRST PRINCIPLES STUDY OF INDIUM ARSENIDE AND INDIUM PHOSPHIDE NANOWIRES / ESTUDO DE PRIMEIROS PRINCÍPIOS DE NANOFIOS EM ARSENETO DE ÍNDIO E FOSFETO DE ÍNDIO
Neste trabalho realizamos um estudo teórico, baseado na teoria do funcional da densidade, em nanofios de InAs e InP e em heteroestruturas de nanofios InAs/InP. Inicialmente estudamos a variação das propriedades estruturais, eletrônicas e mecânicas com o diâmetro em nanofios de InAs e InP, e as possíveis alterações nas propriedades eletrônicas deste
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 29/07/2011
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4. ESTUDO DAS PROPRIEDADES ELETRÔNICAS E ESTRUTURAIS EM NANOTUBOS DE FOSFETO DE ÍNDIO / STUDY OF ELECTRONIC AND STRUCTURAL PROPERTIES IN INDIUM PHOSPHIDE NANOTUBES
No presente trabalho, desenvolvemos um estudo da estabilidade e das propriedades eletrônicas dos nanotubos de fosfeto de índio (InP). Para o estudo utilizamos cálculos de primeiros princıpios, fundamentados na teoria do funcional da densidade (DFT), com a aproximação da densidade local (LDA) para o termo de troca-correlação. O programa utilizado
Publicado em: 2009
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5. Optical properties of semiconductor type II quantum dots / Propriedades opticas de pontos quanticos semicondutores tipo II
No presente trabalho apresentamos um estudo da luminescência de érbio em nanocristais de silício (nc-Si) e nanofios de óxido de zinco (nw-ZnO). Os nanocristais de silício com érbio são obtidos através do tratamento térmico de filmes finos amorfos de sub-óxidos de silício (SiOx) preparados por rf-sputtering, variando a concentração de Oxigênio e
Publicado em: 2009
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6. Estudo por dinâmica molecular de deformações mecânicas no cobre e nos semicondutores SiC e InP
Nesta tese, propusemos um método alternativo de caracterização estrutural baseado no cálculo de um parâmetro único que depende da vizinhança atômica em comum. Fizemos uma comparação com outros dois métodos bem conhecidos na literatura, a análise de vizinhos em comum (CNA) e o parâmetro centrossimétrico (CSP), as vantagens do método desenvolvid
Publicado em: 2008
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7. Modificação de características elétricas de estruturas semicondutoras III-V através de bombardeamento com íons
A isolação elétrica de estruturas semicondutoras de InP e GaAs através de bombardeamento com íons foi estudada. Amostras de InP semi-isolante e tipo-p foram implantadas com íons P+ para produzir excesso de átomos de fósforo na ordem de 0,1%. Recozimento em ambiente de argônio no intervalo de temperatura de 400ºC a 600ºC e tempo de 30s foram feitos
Publicado em: 2007
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8. Development of devices based on GaAs substrate with passivation by ECR plasma / Desenvolvimento de dispositivos baseados em substrato de GaAs com passivação por plasma ECR
Este trabalho apresenta um método simples de passivação de superfícies semicondutoras III-V de substratos de arseneto de gálio (GaAs) e de heteroestruturas de fosfeto de gálio-índio sobre arseneto de gálio (InGaP/GaAs), que são utilizados em transist res de efeito de campo, MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) e MISFET Metal-Insulato
Publicado em: 2007
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9. Efeito da terapia fotodinâmica (PDT) sobre culturas de Candida sp. e de células epiteliais : estudo in vitro
O uso indiscriminado de antifúngicos tem acarretado resistência da Candida sp., o que requer novas alternativas de tratamento para a candidose oral. A aplicação da terapia fotodinâmica (PDT) tem sido investigada na inativação de microrganismos patogênicos ao hospedeiro humano. O presente estudo teve por objetivo avaliar, in vitro, a ação da PDT sob
Publicado em: 2006
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10. Crescimento e caracterização estrutural de nanoestruturas semicondutoras baseadas na liga InP
Neste trabalho estudamos os mecanismos de crescimento durante a epitaxia de estruturas III-V baseadas na liga InP. Em particular, o principal objetivo foi correlacionar os mecanismos cinéticos durante a nucleação de nanoestruturas auto-formadas com as propriedades estruturais da camada que serve de substrato. Todas as amostras foram crescidas usando um si
Publicado em: 2005
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11. Estudo da dinamica de crescimento de filmes de InP homoepitaxiais : analise das caracteristicas fractais
In this work we study the growth dynamics of homoepitaxial InP(100) fi1ms obtained by Chemical Beam Epitaxy (CBE) and its dependence on temperature and type of substrate used. The topography of the samples was measured by Atomic Force Microscopy and analyzed using fractal and scaling concepts. Our experimental results show that, for the growth temperature ra
Publicado em: 2000
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12. Camada epitaxial de INP : Zn Passivada por hidrogenio
This work is the first part of a project for the fabrication of low-dirnensional free carrier systems in semiconductors using hydrogen passivation. We present a systematic study of hydrogenation in InP:Zn epitaxiallayers. The para11el plate reactor was used to create a hydrogen plasma for hydrogenation of semiconductors. Zn passivation by hydrogen in lnP was
Publicado em: 1998