Fosfeto De Indio
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13. Sintese de fosfeto de indio pelo metodo de sintese por difusão de soluto
Desenvolvemos neste trabalho um sistema para realizar a síntese de InP a partir dos elementos Índio e Fósforo utilizando o método de crescimento a partir de solução SSD (Síntese por Difusão de Soluto ). Com este sistema obtivemos tarugos de 125g com 3,7cm de diâmetro. Modificações do processo de síntese foram feitas ao longo do trabalho visando o
Publicado em: 1996
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14. Crescimento de monocristais de GaSb, GaAs e InP pelo metodo Czochalski
Foram crescidos tarugos monocristalinos de antimoneto de gálio (GaSb), de arseneto de gálio (GaAs) e de fosfeto de índio (InP) utilizando-se as técnicas Czochra1ski,para o GaSb, e Liquid Encapsulated Czochralski (LEC), para os outros dois, tendo como objetivo o domíno e aperfeiçoamento das técnicas de crescimento e também a obtenção de lâminas mon
Publicado em: 1996
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15. Gravações de microestruturas atraves de ataque fotoeletroquimico de fosfeto de indio
O tema desta tese é o estudo do ataque fotoeletroquímico (FEQ) de InP, uma área de grande interesse para a indústria opto-eletrônica. Cristais de InP foram corroídos em HClaq utilizando luz homogênea com o objetivo de estudar o processo de ataque e a formação de microestruturas na superfície da amostra. Padrões gerados holograficamente foram grava
Publicado em: 1995
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16. Estudo das propriedades oticas do InP crescido por CBE : O efeito da impureza isoeletronica de arsenio
São investigadas as propriedades elétricas e óticas na região excitônica do InP utilizando as técnicas de efeito Hall e fotoluminescência a baixas temperaturas, respectivamente. As amostras analisadas foram crescidas pela técnica de CBE (epitaxia por feixe químico), cujo sistema foi recentemente instalado no IFGW/Unicamp. Os espectros de fotolumines
Publicado em: 1995