Field Effect Transistor
Mostrando 1-12 de 27 artigos, teses e dissertações.
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1. Mechanisms of Ion Detection for FET-Sensors Using FTO: Role of Cleaning Process, pH Sequence and Electrical Resistivity
The use of FTO samples as an extended gate field effect transistor biosensor is presented. The FTO samples were produced by spray pyrolysis technique. The cleaning process is shown to have a fundamental importance for the final sensitivity of the samples when multiple re-usage is adopted. The role of electrical resistivity and morphology of the films are inv
Mat. Res.. Publicado em: 31/07/2017
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2. A JL-SDR-IMPATT Device with Improved Efficiency
Abstract An attempt has been made to present a new device which will function as a highly efficient SDR (Single Drift Region) P+-N- N+ IMPATT diode utilizing the advantages of a junctionless field effect transistor. The basic idea is to convert a uniform N+ region into a (P+-N-N+) structure without any requirement of physical doping. As the present device wo
J. Microw. Optoelectron. Electromagn. Appl.. Publicado em: 2017-04
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3. Poly(Vinyl Alcohol) Gate Dielectric Treated With Anionic Surfactant in C60 Fullerene-Based n-Channel Organic Field Effect Transistors
We report on the preparation and performance enhancement of n-type low-voltage organic field effect transistors (FETs) based on cross-linked poly(vinyl alcohol) (cr-PVA) as gate dielectric and C60 fullerene as channel semiconductor. Transistors were prepared using bottom-gate top-contact geometry and exhibited field-effect mobility (µFET) of 0.18 cm2V-1s-1.
Mat. Res.. Publicado em: 19/09/2016
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4. Effects of Measurements Conditions on an Extended-Gate FET used as pH sensor
Fluorine-doped tin oxide (SnO2:F) was investigate as the sensitive part of a pH sensor in the extended-gate field effect transistors (EGFET) device, which provided a linear response for pH range from 2 to 12; the sensitivity was 37 mV.pH-1 for experiments performed in absence of light. Neutral pH, leads to a transistor’s electric current remained practical
Mat. Res.. Publicado em: 05/02/2016
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5. Comparative Sensibility Study of WO3 ph Sensor Using EGFET and Ciclic Voltammetry
In this present study, the investigation about pH sensorial properties of WO3, via sol-gel, was evaluated by Voltammetry and Extended Gate Field Effect Transistor techniques. The X-ray diffractogram indicates the presence of a lamellar structure, d = 0.69 nm, resulting in WO3.2H2O. From Scanning Electron Microscopy of WO3.2H2O was observed a process correspo
Mat. Res.. Publicado em: 2015-02
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6. Indium tin oxide synthesized by a low cost route as SEGFET pH sensor
Polycrystalline ITO films with good optoelectronics characteristics and homogeneous surface has been obtained upon annealing at 550 °C in N² atmosphere using a low-cost chemical vapor deposition (CVD) system. The films were evaluated as pH sensors in separative extended gate field-effect transistor (SEGFET) apparatus, exhibiting a sensitivity of 53 mV/pH,
Mat. Res.. Publicado em: 02/07/2013
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7. Evaluation study of an ion selective field effect transistor electrode for measuring quality parameters of fuel ethanol
Um eletrodo íon seletivo baseado em transistor de efeito de campo (ISFET) foi avaliado na medição de pH e índice de acidez (IA) de etanol combustível e comparado a dois eletrodos de vidro contendo soluções de referência diferentes: solução aquosa de KCl (eletrodo glass-KCl) e solução etanólica de LiCl (eletrodo glass-LiCl). O pH foi determinado
J. Braz. Chem. Soc.. Publicado em: 2013-01
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8. Fabricação e estudo das propriedades de transporte de transistores de filmes finos orgânicos / Manufacturing and study of charge transport properties of organic thin film transistors
A eletrônica digital desempenha papel essencial no desenvolvimento e manutenção dos padrões de vida em prática hoje no mundo. A peça fundamental para a criação desta era tecnológica é sem dúvidas o transistor. Com o advento de novos materiais, a busca por transistores que oferecem novas oportunidades de processamento e aplicação permitiu que uma
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 26/10/2012
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9. Aplicação de novos materiais em transistores de efeito de campo ferroelétricos
In this work, we investigated the electrical properties of the polyelectrolyte PSS in its sodium form (PSS-Na, Polystyrene sulfonic in the sodium form) and acid form (PSS-H, polystyrene sulfonic in the acid form) and also doped with Fe3+ for application in Ferroelectric Field Effect Transistors (Fe-FET). The PSS-Na was acquired from Aldrich and PSS-H was obt
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/07/2012
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10. Sensores e biossensores baseados em transistores de efeito de campo utilizando filmes automontados nanoestruturados / Sensors and biosensors based on field-effect transistors using nanostructured self-assembled films
Separative extended gate field-effect transistor (SEGFET) device is an alternative to the conventional ion-sensitive field-effect transistor (ISFET). The great advantage of SEGFET refers to its easy processing, i.e., it is limited under only manipulation of the gate electrode, avoiding the conventional microelectronic processes. In this way, ion sensors and
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 21/11/2011
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11. Microscopia de força atômica em materiais biológicos : biossensores e nanoferramentas / Atomic force microscopy on biological materials : biosensors and nanotools
Na primeira parte deste trabalho, nós investigamos o processo de crescimento de um biofilme de bactérias (Xylella fastidiosa) inoculadas sobre lamínulas de vidro. O tamanho e a distância entre os biofilmes foram estudados por imagens de microscopia óptica; e uma análise fractal foi realizada usando conceitos de escala e imagens de AFM. Observamos que b
Publicado em: 2011
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12. Desenvolvimento de sistemas e medida de ruído de alta e baixa frequência em dispositivos semicondutores / System for high and low frequency noise measurements design and semiconductor devices characterization
Este trabalho teve como objetivo a montagem de um sistema de caracterização de ruído de alta e de baixa freqüência, utilizando equipamentos disponíveis no Centro de Componentes Semicondutores da Unicamp. Foi montado um sistema para a caracterização do ruído de baixa freqüência em dispositivos semicondutores e desenvolveu-se um método para a anál
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 24/02/2010