Field Effect Transistor
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13. Desenvolvimento de uma metodologia de fabricação de transistores de filmes finos orgânicos. / Development of a manufacturing methodology for organic thin film transistors.
In this work, it is presented a methodology for organic thin-film transistor (OTFT) fabrication. Poly(3-hexylthyophene) (P3HT):[6,6]-phenyl-C61-butyric acidmethyl ester (PCBM) bulk heterojunction solar cells were studied for their maximum power conversion efficiency (PCE) around 5 %. Efficiencies evolution in time from 10-6 to 1.7 % show the difficulties inv
Publicado em: 2010
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14. Andreev transport in double quantum dots coupled to superconductor and ferromagnetic leads / Transporte por reflexão de Andreev em pontos quanticos duplos acoplados a eletrodos supercondutores e ferromagneticos
In this work we studied the quantum transport in two hybrid nanostructures composed of double quantum dots (DQD)s coupled to superconductor (S) and ferromagnetic (F) leads. The first nanostructure, denoted by F - QDa - QDb - S, is composed of a ferromagnet, two quantum dots, and a superconductor connected in series. In the second nanostructure, denoted by (
Publicado em: 2010
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15. Potential performance of SiC and GaN based metal semiconductor field effect transistors
A Monte Carlo simulation has been used to model steady-state electron transport in SiC and GaN field effect transistor. The simulated device geometries and doping are matched to the nominal parameters described for the experimental structures as closely as possible. Simulations of SiC MESFETs of lengths 2, 2.6 and 3.2 µm have been carried out and compared t
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2009-03
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16. Tin and zinc oxides semiconductor devices / Dispositivos semicondutores a partir de óxidos de estanho e zinco
This work presents the study and development of semiconductor devices base on tin and zinc oxides. The first device is related to the development of pH sensors based on field effect, while the second device uses surface acoustic waves for the transport of carriers related to a single photon detector device. Initially, the semiconductors were used as hydrogen
Publicado em: 2009
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17. Transistor de efeito de campo (FET) para detecção quimica e bioquimica utilizando dieletrico de porta constituido de camada empilhada SiNx/SiOxNy / Field effect transistors (FET) with dielectric gate made of a stacked layer SiNx/SiOxNy for chemical and biochemical detection
Esta dissertação consiste de duas etapas. Inicialmente são estudados filmes de nitreto de silício depositados por LPCVD, Low Pressure Chemical Vapor Deposition, utilizando-se diferentes relações de concentração de gases reagentes, [SiH2Cl2]/[NH3], e utilizando-se como substrato lâminas de silício tipo p, com e sem camada almofada de oxinitreto de s
Publicado em: 2009
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18. Utilização de filmes de carbono tipo-diamante nitrogenados e fluorados como materiais eletrônicos.
Este trabalho tem por objetivo principal estudar as alterações que possam vir a ocorrer nas propriedades eletrônicas do filme de carbono amorfo hidrogenado (a-C:H), em virtude da incorporação dos aditivos nitrogênio e flúor. A deposição dos filmes a-C:H, a-C:H:N e a-C:H:F que foram estudados neste projeto de doutorado foi realizada através da técn
Publicado em: 2008
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19. Development of devices based on GaAs substrate with passivation by ECR plasma / Desenvolvimento de dispositivos baseados em substrato de GaAs com passivação por plasma ECR
Este trabalho apresenta um método simples de passivação de superfícies semicondutoras III-V de substratos de arseneto de gálio (GaAs) e de heteroestruturas de fosfeto de gálio-índio sobre arseneto de gálio (InGaP/GaAs), que são utilizados em transist res de efeito de campo, MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) e MISFET Metal-Insulato
Publicado em: 2007
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20. SnO2 extended gate field-effect transistor as pH sensor
Extended gate field-effect transistor (EGFET) is a device composed of a conventional ion-sensitive electrode and a MOSFET device, which can be applied to the measurement of ion content in a solution. This structure has a lot of advantages as compared to the Ion- Sensitive Field Effect Transistor (ISFET). In this work, we constructed an EGFET by connecting th
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2006-06
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21. Design of distributed microwave oscillators with reverse feedback. / Projeto de osciladores de microondas distribuídos com realimentação reversa.
In this dissertation, a design methodology applied to microwave reverse feedback distributed voltage controlled oscillators - DVCO - is proposed. This circuit constitutes a new class of oscillators, obtained from reverse feeding back of the distributed amplifier. The main advantage of this topology is its capacity to achieve ultra-wideband frequency tuning.
Publicado em: 2005
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22. SPIN AND CORRELATION EFFECTS IN NANOSCOPIC TRANSPORT / EFEITOS DE SPIN E CORRELAÇÃO EM TRANSPORTE NANOSCÓPICO
We investigated spin polarized transport properties through a quantum dot connected with two terminals. An electric current that circulates in our system can have its polarization modulated with an external potential that controls the spin orbit coupling (Rashba effect). We studied the effect of spin polarization n a transistor constituted by a quantum dot w
Publicado em: 2005
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23. Analogic memories characterization implemented with floating gate MOS transistors / Caracterização de memorias analogicas implementadas com transistores MOS floating gate
Monolithic integration of memories and analog circuits ,in the same die offers interesting advantages like: smaller application boards, higher robustness and mainly lower costs. Today, a profitable integration of these kind of circuit can only be possible using conventional CMOS technology, which allows efficiently extraordinary levels of integration. Thus,
Publicado em: 2005
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24. Sistema de medida baseado em ISFETs (Ion Sensitive Field Effect Transistor) para determinação de acidos e bases em soluções aquosas
Neste trabalho é primeiro apresentada uma nova classificação dos sensores eletroquímicos, objetivando fazer um paralelo entre os sensores eletroquímicos convencionais e a crescente geração de sensores eletroquímicos microeletrônicos, ou aqueles fabricados com técnicas de fabricação de circuitos integrados. Em seguida, são apresentados alguns res
Publicado em: 1996