Estudo dos processos de fabricação e comportamento termodinamico de estruturas MOS e bipolar

AUTOR(ES)
DATA DE PUBLICAÇÃO

1992

RESUMO

Este trabalho transistores visa um estudo do comportamento dos MOS e bipolar em diferentes condições de recozimento térmico do alumínio. Estudaremos resistência de contato entre o metal (AI) e o semicondutor utilizando o método TLM (modelo de linha de transmissão). No segundo capítulo desenvolveremos os conceitos básicos sobre a junção um estudo do transistor bipolar. No terceiro capitulo, será abordado o diagrama de energia de uma estrutura MOS, com intuito de obter os conceitos básicos para o estudo do transistor MOS. No quarto capitulo, descreveremos o conjunto de máscaras projetado e utilizado nas etapas do processo de fabricação, necessárias para a construção dos dispositivos bem como, a descrição dos métodos de medidas que permitem caracterizar etapas do processo e o comportamento elétrico dos dispositivos. No quinto capitulo, serão apresentados os resultados obtidos, as análises e conclusões. No apêndice apresentaremos o estudo do comportamento dos transistores MOS e biola bipolar em função bipolar em função de temp Bipolar em função da temperatura

ASSUNTO(S)

microeletronica engenharia eletrica

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