Estudo do comportamento termodinamico de dispositivos MOS submetidos a radiações ionizantes

AUTOR(ES)
DATA DE PUBLICAÇÃO

1992

RESUMO

Estudamos o comportamento de capacitores Metal-Óxido-Semicondutor (MOS, aluminio-Si02-Si) após irradiação por raios-X (CU K-α ) e seu posterior tratamento térmico na faixa de temperatura (350 - 450)oC. Os óxidos foram crescidos termicamente, em ambiente de 02+TCE, sobre substratos Si(100), tipos-n e p, com concentrações de dopantes da ordem NaD ≈10 9 cm -2 , espessura tox=100nm,área A=500x500 µ2. Apresentaram densidade de cargas móveis de NmD≈5.10cm -3 (medida a 205oC), densidade de cargas fixas de Nf 1.1010cm-2 e densidade de cargas capturadas na interface de Dit ≈ 4.10 10cm-2 eV-1(caracterização feita por técnicas C-V quase estática-QSCV, alta freqüência-HFCV e de varredura triangular em tensão-TVS). A irradiação dos dispositivos provocou alta densidade de estados de interface (Dit ≈5.10 cm eV-1 ), em contraste com baixa densidade de cargas capturadas no óxido (Not ≈ 4.10 10cm-2) . Os recozimentos foram feitos em etapas sucessivas, com atmosfera de N2, usando fornos convencionais e de processamento rápido e indicam que o tempo de recozimento dos defeitos induzidos é da ordem de 5 minutos a 420 oC. Para tempos maiores, observou-se aumento de Dit e a criação de histereses nas curvas HFCV.

ASSUNTO(S)

microeletronica engenharia eletrica

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