Estudo do comportamento eletrico de dispositivos semicondutores fabricados com filmes finos de a-C:H e a-C:H:N obtidos por RF-PECVD
AUTOR(ES)
Rodrigo Porto Pires
DATA DE PUBLICAÇÃO
2003
RESUMO
ormado.
ASSUNTO(S)
carbono diodos filmes finos heteroestruturas nitrogenio
ACESSO AO ARTIGO
http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000296351Documentos Relacionados
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