Heteroestruturas
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1. Síntese in situ pelo método hidrotérmico de heteroestruturas de titanato-ferritas e sua atividade fotocatalítica
Resumo A aplicação de fotocatalisadores na forma de heteroestruturas tem se destacado através da propriedade de degradação de diversos compostos orgânicos no tratamento de efluentes. Neste contexto, o objetivo deste trabalho foi sintetizar compostos heteroestruturados à base de titanato-ferritas pelo método hidrotérmico in situ para aplicação em p
Cerâmica. Publicado em: 2018-06
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2. Efeito de interface nas propriedades ópticas de pontos quânticos de InP/GaAs / Interface effect on the optical properties of InP/GaAs quantum dots
We studied the effect of different interface conditions on the optical properties of InP/GaAs self-assembled quantum dots grown by chemical beam epitaxy in the Stranskii-Krastanov mode. InP/GaAs quantum dots is expected to present type II band alignment, and only electrons are confined, whereas the holes are localized in the GaAs layers around the quantum do
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/08/2012
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3. Propriedades óticas e de transporte em heteroestruturas semicondutoras contendo GaMnAs
Neste trabalho, realizamos um estudo sistemático em poços quânticos de Ga1- xMnxAs/GaAs/AlAs (QWs) com baixa concentração de manganês (x <0,1%) crescidos por epitaxia de feixe molecular em altas temperaturas de crescimento do substrato 400 e 450C. Estudamos as medidas de fotoluminescência resolvida no tempo e fotoluminescência resolvida em polarizaç
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 14/10/2011
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4. AnÃis quÃnticos semicondutores ideais / Ideal semiconductor quantum rings
Nos Ãltimos anos, numerosos avanÃos alcanÃados nas tÃcnicas de crescimento de materiais deram origem à formaÃÃo de vÃrias heteroestruturas de semicondutores, onde se podem confinar elÃtrons e buracos em uma ou mais direÃÃes, atravÃs de barreiras de potencial. Muitos pesquisadores recentemente tÃm estudado estruturas de baixas dimensionalidades,
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 08/08/2011
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5. FIRST PRINCIPLES STUDY OF INDIUM ARSENIDE AND INDIUM PHOSPHIDE NANOWIRES / ESTUDO DE PRIMEIROS PRINCÍPIOS DE NANOFIOS EM ARSENETO DE ÍNDIO E FOSFETO DE ÍNDIO
Neste trabalho realizamos um estudo teórico, baseado na teoria do funcional da densidade, em nanofios de InAs e InP e em heteroestruturas de nanofios InAs/InP. Inicialmente estudamos a variação das propriedades estruturais, eletrônicas e mecânicas com o diâmetro em nanofios de InAs e InP, e as possíveis alterações nas propriedades eletrônicas deste
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 29/07/2011
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6. Emissão óptica de plasma e desenvolvimento de a-Si:H por sputtering / Emissão óptica de plasma e desenvolvimento de a-Si:H por sputtering
A utilização do silício amorfo (a-Si) como camada emissora nas células fotovoltaicas baseadas em heteroestruturas tem se mostrado com várias vantagens em nível de custo de produção e desempenho se comparadas ao silício cristalino (c-Si). Em filmes de a-Si puro, existe uma grande concentração defeitos, aproximadamente 10 por cm e o hidrogênio exer
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 29/04/2011
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7. Homogeneidade química, interfaces e defeitos estruturais em nanofios de semicondutores III-V / Chemical homogeneity, interfaces and structural defects in III-V semiconductor nanowires
O desenvolvimento de novos materias tem grande interesse devido à ocorrência de novos fenômenos e propriedades, as quais podem ser usadas em futuras aplicações tecnológicas. Em particular, nas últimas décadas, esforços imensos foram realizados buscando compreender nanomateriais e os efeitos da redução de tamanho e de dimensão. Entre os diferentes
Publicado em: 2011
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8. Transições ópticas em heteroestruturas semicondutoras Zincblende com duas sub-bandas / Optical transitions in Zincblende semiconductors heterostructures with two sub-bands
Apresento neste trabalho uma derivação alternativa da hamiltoniana efetiva para um elétron na banda de condução de uma heteroestrutura semicondutora de rede Zincblende. Partindo do modelo de Kane 8 × 8 e da aproximação das funções envelope, esta hamiltoniana efetiva foi obtida com a linearização dos denominadores (dependentes das autoenergias) pr
Publicado em: 2011
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9. Estrutura dos diagramas de fases de um modelo de filmes finos via métodos de Monte Carlo
Sistemas de multicamadas constituídos por camadas magnéticas de heteroestruturas podem possuir uma variedade de fases magnéticas - essas dependentes de fatores como os parâmetros de troca, a geometria do material, a temperatura T à qual ele é submetido e o campo B nele aplicado. Vamos considerar um modelo de Filme Fino no qual as varias camadas que o c
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 17/12/2010
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10. Estudo da interação entre metais e nanoestruturas de carbono por primeiros princípios
No presente trabalho, investigamos as propriedades eletrônicas e estruturais de nanoestruturas à base de carbono e de elementos metálicos, por primeiros princípios, baseados na Teoria do Funcional da Densidade. Dentro dessas nanoestruturas vamos abordar: redes de nanopartículas de ouro funcionalizadas ou não depositadas sobre grafeno e sobre bicamadas
Publicado em: 2010
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11. Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs
In this work, we have studied spin polarization of carriers in a resonant tunneling diode GaAs/AlGaAs with InAs quantum dots in the center of the quantum well. We have observed that the photoluminescence of quantum dots depends on applied voltage and light intensity. Our results were explained by the capture of minority carriers (holes) to quantum dot energy
Publicado em: 2010
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12. Analisys of the atomic orbitals spin information in the calculation of semiconductors strucutures properties / Análise da informação do spin dos orbitais atômicos no cálculo de propriedades de estruturas semicondutoras
O presente trabalho é um estudo sobre a importância da informação dos orbitais atômicos no cálculo de propriedades optoeletrônicas de heteroestruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade. O trabalho é dividido em duas partes: na primeira parte, é estudada a simetria de reversão temporal no hamiltoniano k . p, analisando a preservação da info
Publicado em: 2010