Heteroestruturas
Mostrando 13-24 de 78 artigos, teses e dissertações.
-
13. Prorpiedades de transportes em fios e poÃos quÃnticos. / Transport Properties of Quantum Wells and Quantum Wires
Materiais semicondutores sÃo os principais responsÃveis pelo grande crescimento da indÃstria eletrÃnica e pelo surgimento de novas tecnologias. A criaÃÃo de heteroestruturas possibilitou um grande impulso à fÃsica do estado sÃlido. Atualmente, o estudo de semicondutores està concentrado em sistemas de dimensionalidade reduzida, como os poÃos, fios
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 21/07/2009
-
14. Propriedades de transporte de spins polarizados em heteroestruturas semicondutoras
Neste trabalho usamos a técnica da matriz de espalhamento para calcular a trans- missividade de spins polarizados através de heteroestruturas semicondutoras de dupla barreira simétrica. A dinâmica dos portadores é descrita pela aproximação de massa efetiva aplicada aos modelos de Dresselhaus e Bychkov-Rashba. Sendo o primeiro hamil- toniano estudado e
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 25/06/2009
-
15. Transporte eletrônico em super-redes semicondutoras: fingerprints de acoplamento, confinamento e assimetria em curvas de densidade de corrente / Electronic transport in semiconductor super-networks: fingerprints of engagement, containment and asymmetry in the current density curves
Neste trabalho fazemos um estudo sistemático do transporte eletrônico coerente em curvas de J(Vex) no regime balístico, de Super-Redes semicondutoras (SRs) baseadas em Heteroestruturas de GaAs/AlGaAs. Nosso objetivo principal é identicar os Fingerprints de connamento e acoplamento em curvas de corrente-voltagem, induzidos pela assimetria do sistema quand
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 05/06/2009
-
16. Estudo teórico da dupla dopagem de metais de transição em GaN e ZnO: ligas e heteroestruturas.
A spintrônica, que está inserida na nanotecnologia, se mostra hoje muito promissora no sentido de aprimorar outras tecnologias como a própria eletrônica convencional, a fotônica, a computação quântica, etc. Ela se baseia no transporte e manipulação do spin dos portadores em sistemas de estado sólido. No entanto, para sua implementação necessitam
Publicado em: 2009
-
17. Projeto e construção de um sistema de crescimento epitaxial por feixe molecular / Project and construction of a molecular beam epitaxy growth system
A técnica de crescimento epitaxial por feixes moleculares (Molecular Beam Epitaxy – MBE) pode ser considerada como uma das mais importantes para a obtenção de filmes finos, heteroestruturas e nanoestruturas nos dias atuais, permitindo a obtenção de filmes de excelente qualidade, além de permitir o acompanhamento do crescimento in situ através de
Publicado em: 2009
-
18. Photophysics in nanostructured films containing poly(p-phenylene vinylene) (PPV) and acceptor species. / Fotofísica em heteroestruturas contendo o polímero emissor PPV e espécies supressoras
A compreensão dos caminhos de desativação não radiativa em polímeros conjugados é fundamental para o uso desses materiais em dispositivos luminescentes, células fotovoltaicas e sensores. Nesta tese, os processos não radiativos em filmes automontados de polímero luminescente foram investigados via análise da supressão de intensidade de fotoluminesc
Publicado em: 2009
-
19. Confinamento quÃntico em hetero-estruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade.
Os materiais semicondutores sÃo responsÃveis pelo grande desenvolvimento na indÃstria eletrÃnica e surgimento de novas tecnologias. O conceito de hetero-estrutura deu um grande impulso à fÃsica do estado sÃlido. à impossÃvel imaginar a moderna fÃsica do estado sÃlido sem hetero-estruturas semicondutoras. A fÃsica de semicondutores està atualment
Publicado em: 2008
-
20. Caracterização elétrica e magnética de Fe granular embebido em matriz de ZnSe
As propriedades elétricas e magnéticas de aglomerados nanoscópicos de Fe imersos em matriz de ZnSe foram investigadas. Foi observado que este sistema apresenta um comportamento superparamagnético com pequena interação ferromagnética termicamente ativada. Também foi observada pequena taxa de magnetorresistência túnel em temperatura ambiente (da orde
Publicado em: 2008
-
21. Metodologia computacional para o projeto de dispositivos semicondutores nanoestruturados / Computational methodology for the design of nanostructured semiconductor devices
Nanoestruturas semicondutoras como poços, fios e pontos quânticos possuem inúmeras aplicações de interesse tecnológico. Como exemplo pode-se citar sua utilização em lasers, detectores de infravermelho, transistores, spintrônica, na medicina e, prevê-se que, futuramente, sejam essenciais na computação quântica. O domínio dessa tecnologia é visa
Publicado em: 2008
-
22. Metodologia computacional para o projeto de dispositivos semicondutores nanoestruturados / Computational methodology for the design of nanostructured semiconductor devices
Nanoestruturas semicondutoras como poços, fios e pontos quânticos possuem inúmeras aplicações de interesse tecnológico. Como exemplo pode-se citar sua utilização em lasers, detectores de infravermelho, transistores, spintrônica, na medicina e, prevê-se que, futuramente, sejam essenciais na computação quântica. O domínio dessa tecnologia é visa
Publicado em: 2008
-
23. Transições ópticas em poços quânticos múltiplos com diferentes orientações cristalográficas
Neste trabalho estudamos as transições ópticas em poços quânticos múltiplos de GaAs/AlxGa1-xAs, crescidos por epitaxia por feixe molecular sobre os substratos de GaAs orientados nas direções [100], [311]A e [311]B. Os parâmetros estruturais dos poços quânticos foram determinados por Difratometria de Alta Resolução de Raios-X. O estudo das transi
Publicado em: 2008
-
24. Fabrication using inkjet and characterization of polymer radiation dosimeter for UV-blue. / Preparação por inkjet e caracterização de dosímetros poliméricos para radiação UV-azul.
Ao final da década de 1980, pesquisadores da empresa Eastman Kodak anunciaram as propriedades eletroluminescentes de materiais orgânicos não poliméricos. Seguindo essa linha, em 1990, um grupo de pesquisadores ingleses demonstrou propriedades semelhantes para os polímeros, utilizando-os como elementos ativos de dispositivos emissores de luz. Era este o
Publicado em: 2008