Transistores De Juncao
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1. Aplicação de novos materiais em transistores de efeito de campo ferroelétricos
In this work, we investigated the electrical properties of the polyelectrolyte PSS in its sodium form (PSS-Na, Polystyrene sulfonic in the sodium form) and acid form (PSS-H, polystyrene sulfonic in the acid form) and also doped with Fe3+ for application in Ferroelectric Field Effect Transistors (Fe-FET). The PSS-Na was acquired from Aldrich and PSS-H was obt
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/07/2012
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2. Processos termicos rapidos RTO / RTA para fabricação de dispositivos MOS / Rapid thermal process RTO / RTA for MOS devices fabrication
Filmes ultra-finos e finos de óxido de silício (SiO2) foram obtidos por oxidação (RTO) e recozimento (RTA) térmicos rápidos, usando diferentes temperaturas de 600, 700, 800 e 960oC por 40s, em ambiente de oxigênio e de nitrogênio, respectivamente. A caracterização por elipsometria (para índice de refração fixo de 1.46), por microscopia eletrôni
Publicado em: 2005
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3. Montagem e caracterização de um dispositivo eletronico usando polimero condutor
Neste trabalho aperfeiçoou-se métodos para deposição de filmes finos de polímeros isolantes, como o poliestireno (PS), poli(metacrilato de metila) (PMMA), policloreto de vinila (PVC) e resina epóxi. No caso do PS, foram depositados filmes a partir de soluções feitas com o polímero virgem, purificado por coagulação e por extração líquido-líquid
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2004
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4. Modelamento de transistores bipolares de heterojunção
A study about current transport mechanism through a heterojunction is presented. Drift and diffusion mechanism are not enough to describe the electrical current (due to a spike in the conduction band of the Npn transistor). This has led to the introduction of the Thermionic-Emission mechanism. The Ebers-Moll and Gummel-Poon models are also compatible with th
Publicado em: 1995
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5. Estudo dos processos de fabricação e comportamento termodinamico de estruturas MOS e bipolar
Este trabalho transistores visa um estudo do comportamento dos MOS e bipolar em diferentes condições de recozimento térmico do alumínio. Estudaremos resistência de contato entre o metal (AI) e o semicondutor utilizando o método TLM (modelo de linha de transmissão). No segundo capítulo desenvolveremos os conceitos básicos sobre a junção um estudo d
Publicado em: 1992
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6. Uma nova proposta para confecção da extensão da terminação da junção (JTE) em dispositivos planares de alta tensão
Sabe-se que a curvatura da junção reduz a tensão de ruptura de junções p-n. Neste trabalho, desenvolveu-se uma técnica simples que usa pré-deposição convencional de boro com fontes dopantes sólidas, para fazer uma Extensão da Terminação da Junção (Junction Termination Extension - JTE) em substituição aos processos de implantação de íon de
Publicado em: 1991
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7. Processos nos sub-micrometricos para integração tipo VLSI
Neste trabalho apresentamos ema revisão sobre dois temas fundamentais para a fabricação de circuitos integrados com níveis de iteração VLSI/ULSI: -escalamento e limitações de dispositivo MOS -interconexões e contatos em circuitos integrados. Analizamos vários aspectos relacionados tanto ao dispositivo ativo como à interligação dos mesmos. A cons
Publicado em: 1990
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8. APLICAÇÃO DE TÉCNICAS DE OTIMIZAÇÃO MULTICRITÉRIOS AO PROJETO DE CIRCUITOS NÃO LINEARES / MULTICRITERIA OPTMIZATION TECHNIQUES APPLIED TO THE DESIGN OF NON LINEAR CIRCUITS
As técnicas de otimização multicritérios, que tiveram sua origem na área econômica, são necessárias na busca de soluções em qualquer ambiente onde existam objetivos competindo entre si. Nestes ambientes pode não existir uma solução ótima para determinado problema e sim soluções de compromisso entre os vários objetivos conflitantes. Uma das m
Publicado em: 1984