Silicio Amorfo Hidrogenado
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1. STUDY OF THE TRIBOLOGICAL PROPERTIES OF FLUORINATED AMORPHOUS CARBON FILMS / ESTUDO DAS PROPRIEDADES TRIBOMECÂNICAS DE FILMES DE CARBONO AMORFO FLUORADO
Este trabalho teve como objetivos o estudo das modificações nas propriedades de filmes de carbono amorfo hidrogenado (a-C:H) através do tratamento da sua superfície com plasma de tetrafluoreto de carbono (CF4) e Argônio e a deposição e estudo das propriedades tribológicas de filmes de carbono amorfo fluorado e hidrogenado (a-C:F:H) sobre substrato de
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 16/03/2012
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2. Efeito de lente térmica e não-linearidades ópticas do silício amorfo hidrogenado dopado com fósforo. / Thermal lens effect and optical nonlinearities of hidrogenated amorphous silicon doped with phosphorus.
Efeitos ópticos não-lineares foram estudados em filmes finos de silício amorfo hidrogenado através da técnica de varredura-Z, que utiliza um único feixe de luz laser de onda contínua, modulado na escala de tempo de milissegundos. Em tal técnica, amostras do material foram deslocadas ao longo da região focal de um feixe com perfil de intensidade gaus
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 16/06/2011
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3. Desenvolvimento de filme fino de a-Si:H por pulverização catódica para aplicações fotovoltaicas / Desenvolvimento de filme fino de a-Si:H por pulverização catódica para aplicações fotovoltaicas
Filmes finos de silício amorfo hidrogenado (a-Si:H) foram desenvolvidos para aplicações fotovoltaicas. Esses filmes são atualmente muito utilizados em células solares HSJ como camada absorvedora devido às suas boas propriedades ópticas e elétricas, associado a um band gap razoavelmente baixo e um reduzido custo de produção. Os filmes foram sintetiz
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 30/05/2011
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4. Deposição de filmes finos de silício amorfo hidrogenado por sputtering reativo. / Deposition of hydrogenated amorphous silicon thin films by reactive sputtering.
Neste trabalho filmes finos de silício amorfo hidrogenado (a-Si:H) foram depositados no reator magnetron sputtering do laboratório de sistemas integráveis (LSI), a temperaturas menores que 100 °C, pela introdução do gás hidrogênio junto com o de argônio para pulverização de um alvo de silício policristalino. As condições de deposição investig
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 21/10/2010
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5. Estudo espectroscópico de filmes de SiFe / Spectroscopic study of SiFe films
Na busca por novos materiais opto-eletrônicos, vários têm sido os compostos estudados. Dentre os mais interessantes destacam-se aqueles que apresentam compatibilidade com a atual indústria (micro-) eletrônica e/ou de tele-comunicações. Dentro deste contexto ocupam posição privilegiada compostos à base de silício e sob a forma de filmes finos de mo
Publicado em: 2010
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6. Optical, mechanical and structural properties of amorphous carbon films / Propriedades opticas, mecanicas e estruturais de filmes de carbono amorfo
Neste trabalho desenvolvemos um sistema de deposição de filmes finos pela técnica de arco catódico filtrado (FCVA- Filtered Cathodic Vacuum Arc), que possibilita o desenvolvimento de ligas metálicas e, sobretudo, a deposição de filmes de carbono amorfo altamente tetraédrico. Utilizando este sistema desenvolvemos filmes de carbono amorfo (a-C) com ele
Publicado em: 2009
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7. Utilização de filmes de carbono tipo-diamante nitrogenados e fluorados como materiais eletrônicos.
Este trabalho tem por objetivo principal estudar as alterações que possam vir a ocorrer nas propriedades eletrônicas do filme de carbono amorfo hidrogenado (a-C:H), em virtude da incorporação dos aditivos nitrogênio e flúor. A deposição dos filmes a-C:H, a-C:H:N e a-C:H:F que foram estudados neste projeto de doutorado foi realizada através da técn
Publicado em: 2008
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8. Thermo-mechanical properties of a-SiC:H and SiOxNy thin films and development of MEMS. / Propriedades termo-mecânicas de filmes finos de a-SiC:H e SiOxNy e desenvolvimento de MEMS.
O presente trabalho, realizado junto ao Grupo de Novos Materiais e Dispositivos (GNMD), no Laboratório de Microeletrônica do Departamento de Sistemas Eletrônicos da Escola Politécnica da USP, visou determinar algumas das propriedades termo-mecânicas de materiais depositados pela técnica de plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) que são impo
Publicado em: 2008
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9. Estudo e caracterização de filmes de a-Si1-xCx:H obtidos por PECVD visando sua aplicação em MEMS e dispositivos ópticos. / Study and characterization of a-Si1-xCx:H thin films produced by PECVD aiming applications in mems and optical devices.
Neste trabalho foi desenvolvido um estudo sistemático das propriedades estruturais, mecânicas e ópticas de filmes de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-Si1-xCx:H) produzidos pela técnica de deposição química a vapor assistida por plasma (PECVD) a baixas temperaturas (320°C), utilizando silana (SiH4) e metano (CH4) como gases precursores do sil
Publicado em: 2008
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10. Characterization of Si1-xCx:H thin films deposited by PECVD for SiCOI heterojuntion fabrication
As heterojunções de SiC em isolante, conhecidas como SiCOI (SiC-on-insulator), ao combinar as vantagens do SiC e do substrato de Si mostram-se interessantes para aplicações em altas temperaturas, alta potência, altas freqüências, sensores inteligentes, e aplicações micro-mecânicas. Neste trabalho pesquisamos as propriedades de filmes finos de carbe
Journal of the Brazilian Chemical Society. Publicado em: 2006-10
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11. Local order in the transition a-Si:H - uc-Si / Ordem local na transição a-Si:H - uc-Si
Silício amorfo hidrogenado (a-Si:H) é um material amplamente usado na indústria microeletrônica. Ele é normalmente preparado a partir da decomposição do silano (SiH4). A diluição do silano em hidrogênio (H2) resulta em a-Si:H com propriedades eletrônicas superiores devido ao ataque químico preferencial às ligações mal-formadas. Níveis elevado
Publicado em: 2005
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12. Neodymium in hydrogenated amorphous silicon sub-nitrides (a-SiNx:H) / Neodimio em sub-nitretos de silicio amorfo hidrogenado (a-SiNx:H)
In this work, we report a study of the photoluminescence (PL) optimization of a-SiNx:H
thin films prepared by RF co-sputtering. The PL was investigated as a function of nitrogen and neodymium concentrations. We observed that the Nd ions are excited through the amorphous matrix. The excitation mechanism is more efficient in samples where the optical gap E0 Publicado em: 2005