Sic Nanowires
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1. THEORETICAL STUDY ON ANTISITES AND SUBSTITUTIONAL OXYGEN IMPURITY IN SiC NANOWIRE / ESTUDO TEÓRICO DE ANTISSÍTIOS E IMPUREZA SUBSTITUCIONAL DE OXIGÊNIO EM NANOFIO DE SiC
Neste trabalho inicialmente realizamos um estudo da estabilidade e das propriedades eletrônicas de nanofios de SiC crescido na direção [111]. Foi utilizado o método de supercélula e as ligações pendentes da superfície do nanofio de SiC foram saturadas com átomos de H. Em seguida analisamos estes nanofios na presença de antissítios e impureza subst
Publicado em: 2010
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2. Estudo ab initio de impurezas de B e N em nanofios de SiC
Neste trabalho foi realizado um estudo da estabilidade e das propriedades eletrônicas e estruturais de nanofios de SiC crescidos nas direções (100) e (111). Foram consideradas estruturas terminadas em Si e em C para o fio crescido na direção (100), e em ambas as direções os fios foram saturados com átomos de hidrogênio nas ligações pendentes da su
Publicado em: 2008
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3. Estudo por dinâmica molecular de deformações mecânicas no cobre e nos semicondutores SiC e InP
Nesta tese, propusemos um método alternativo de caracterização estrutural baseado no cálculo de um parâmetro único que depende da vizinhança atômica em comum. Fizemos uma comparação com outros dois métodos bem conhecidos na literatura, a análise de vizinhos em comum (CNA) e o parâmetro centrossimétrico (CSP), as vantagens do método desenvolvid
Publicado em: 2008
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4. Estudos em materiais vitreos e/ou ceramicos de SiCxOy e/ou SiC enriquecidos com fase dispersa de carbono / Studies in vitreous and/or ceramic materials based on SiCxOy and/or SiC enriched with dispersed carbon
In this study, vitreous and/or ceramic materials based on SiCxOy and/or SiC enriched with carbon were obtained by pyrolysis of hybrid polymeric precursors, in the presence or not of nickel acetate (NiAc). The polymeric precursors with and without NiAc were prepared by hydrosilylation reaction between poly(methylsiloxane) (PMS) and divinylbenzene (DVB), in di
Publicado em: 2008