Estudo ab initio de impurezas de B e N em nanofios de SiC
AUTOR(ES)
Igor Saulo Santos de Oliveira
DATA DE PUBLICAÇÃO
2008
RESUMO
Neste trabalho foi realizado um estudo da estabilidade e das propriedades eletrônicas e estruturais de nanofios de SiC crescidos nas direções (100) e (111). Foram consideradas estruturas terminadas em Si e em C para o fio crescido na direção (100), e em ambas as direções os fios foram saturados com átomos de hidrogênio nas ligações pendentes da superfície. Foi analisado, também, a presença de impurezas nos nanofios estudados, onde foi considerado impurezas doadoras, Boro, e receptoras, Nitrogênio. Procuramos encontrar a posição mais estável dessas impurezas nos fios, e para esta configuração foi detalhado sua geometria de equilíbrio e estrutura eletrônica. Os cálculos teóricos foram realizados dentro da Teoria do Funcional da Densidade, utilizando-se a Aproximação do Gradiente Generalizado (GGA) para descrever o funcional de troca-correlação. As interações elétron-íon são descritas através de pseudopotenciais de norma conservada de Troullier-Martins. As densidades de cargas são obtidas resolvendose as equações de Kohn-Sham, com as funções de onda de Kohn-Sham sendo expandidas como uma combinação linear de orbitais atômicos. Nossos resultados mostram que nanofios de SiC são semicondutores e aparecem níveis de energias próximos ao nível de Fermi quando impurezas doadoras ou receptoras são adicionadas. Foi encontrado também que o B nos nanofios de SiC migram para sua borda enquanto que o N fica na parte mais interna destes nanofios.
ASSUNTO(S)
nanofios semicondutores nanowires semiconductors impurezas density functional theory impurities teoria do funcional de densidade sic fisica sic
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