Semicondutores
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37. Texturização da superfície de silício monocristalino com NH4OH e camada antirrefletora para aplicações em células fotovoltaicas compatíveis com tecnologia CMOS = : Texturing the surface of monocrystalline silicon with NH4OH and anti-reflective coating for applications in photovoltaic cells compatible with CMOS technology / Texturing the surface of monocrystalline silicon with NH4OH and anti-reflective coating for applications in photovoltaic cells compatible with CMOS technology
Este trabalho apresenta o desenvolvimento de células fotovoltaicas de junção n+/p em substratos de Si com processos de fabricação totalmente compatíveis com a tecnologia CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Os processos compatíveis desenvolvidos neste trabalho sao as técnicas: i) de texturização da superfície do Si, com reflexao da supe
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 24/08/2012
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38. Uma proposta para o controle eletrônico de reguladores eletromagnéticos através do reforço série de tensão
A busca por soluções para os distintos problemas da qualidade da energia elétrica, com destaque às variações das tensões de suprimento, conta, na atualidade, com uma extensa gama de produtos visando, sobretudo, a regulação dinâmica da tensão de suprimento. Não obstante tal reconhecimento, os desafios por estratégias alternativas por compensadore
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 09/08/2012
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39. Transporte eletrônico em sistemas semicondutores orgânicos emissores de luz
Nesse texto, as propriedades estruturais e eletrônicas de compostos semicondutores orgânicos derivados de calcogenofeno-dialcóxifenileno são estudadas por Teoria do Funcional da Densidade com correções semi-empíricas. A estrutura eletro-óptica dos compostos cujo calcogênio varia entre Enxofre, Selênio e Telúrio é determinada para duas arquitetura
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 06/08/2012
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40. Construção de um sistema automatizado para caracterização elétrica de semicondutores pelo método de Van Der Pauw
Nos materiais semicondutores a condução elétrica ocorre através do movimento de cargas negativas (elétrons) ou positivas (formadas por lacunas deixadas pelos elétrons). Assim, o efeito Hall nos materiais semicondutores poderá informar qual o tipo e a densidade dos portadores de carga na amostra e a mobilidade destas cargas. Além dessas grandezas, out
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 30/07/2012
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41. Caracterização de propriedades mecânicas de materiais utilizados em microssistemas eletromecânicos / Mechanical properties characterization of materials used in micro-electro mechanical systems
A caracterização das propriedades mecânicas de filmes finos faz-se necessária para o projeto e fabricação de Microsistemas Eletromecânicos (MEMS - Micro-Electro-Mechanical Systems), que demanda dados precisos dos materiais. Esta pesquisa descreve um novo método de caracterização das propriedades mecânicas de filmes finos, barato e aplicávela uma
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/07/2012
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42. Estudo das propriedades fotoluminescentes do ZnS e ZnS : Eu obtidos pelo método solvotérmico assistido por microondas
Este trabalho ocupa-se da síntese, caracterização e estudos de nanoestruturas de ZnS e ZnS:Eu3+ sintetizadas por meio de processamento solvotérmico assistido por microondas. No trabalho foi investigada a influência do tempo de síntese no microondas nas amostras de ZnS. Entre os tempos, o de 16 minutos foi escolhido como padrão para a dopagem com Euró
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 20/07/2012
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43. Síntese de nanopartículas semicondutoras de seleneto de zinco (ZnSe) aquoso e análise dos subprodutos decorrentes dessa síntese / Synthesis of zinc selenide (znse) semiconductor nanoparticles in aqueous media and analysis of the byproducts yielded from this synthesis
O seleneto de zinco (ZnSe) e um material semicondutor, cujo a energia de band gap e igual a 2,7 eV, e que encontra muitas aplicacoes como dispositivos emissor de luz na regiao do azul do espectro visivel, como por exemplo, LEDS na regiao do azul, dispositivos de armazenamento de dados, lasers de diodo e guias de ondas de fibras opticas. Apesar dessa variedad
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 20/07/2012
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44. Desenvolvimento de materiais e métodos de fabricação de sensores químicos/bioquímicos baseados em silício e nanoestruturas de carbono (ISFET, CNTFET e GraFET) : Development of materials and methods of fabrication of chemical/biochemical sensors based on silicon and carbon nanostructures (ISFET, CNTFET and GraFET) / Development of materials and methods of fabrication of chemical/biochemical sensors based on silicon and carbon nanostructures (ISFET, CNTFET and GraFET)
Este trabalho teve como objetivo o desenvolvimento de materiais e métodos avançados de fabricação de sensores químicos/bioquímicos. Utilizando equipamentos disponíveis no Centro de Componentes Semicondutores da UNICAMP, foram desenvolvidos e caracterizados filmes finos de alta constante dielétrica e filmes metálicos. Os materiais desenvolvidos foram
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 20/07/2012
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45. Efeitos térmicos em fotodiodos de pontos quânticos semicondutores
O recente progresso na fabricação de sistemas de pontos quânticos semicondutores (PQ) tem tornado possível o controle coerente de estados quânticos em PQs utilizando técnicas ópticas ou elétricas. Pulsos de laser têm sido recentemente utilizados para controlar coerentemente a população de éxcitons em PQs. A manipulação coerente de estados quân
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 16/07/2012
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46. Desenvolvimento de um sistema de aquisição de dados e de controle para a realização de ensaios de emissão eletrônica na câmara de ultra alto vácuo / Development of a data acquisition and control system for electron emission tests in an ultra high vacuum chamber
Foi projetado e desenvolvido um sistema de aquisição de dados e controle para viabilizar, de forma automatizada, a caracterização de emissividade eletrônica em catodos frios, por meio da utilização da câmara de ultra alto vácuo do Departamento de Semicondutores, Instrumentação e Fotônica - DSIF, da Faculdade de Engenharia Elétrica e Computação
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 02/07/2012
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47. Efeitos de cargas não-lineares no dimensionamento de transformadores trifásicos de distribuição / Effects of non-linear in design of three-phase distribution transformers
O uso intenso de conversores que utilizam semicondutores no processamento da energia elétrica dentro dos equipamentos elétricos e eletrônicos traz grandes benefícios como menor custo, maior eficiência e mais conforto, contudo traz também desvantagens, pois, quando conectados ao sistema de distribuição de energia elétrica produzem correntes distorcid
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 30/05/2012
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48. Simulação da dinâmica do estado excitado em semicondutores orgânicos / Simulation of the excited state dynamics in organic semiconductors
In the present work, the Monte Carlo method and the direct numerical integration of the Master Equation were employed to simulate the excitation spectral diffusion process in light emitting polymeric systems. The methodology employed a competition among the internal intra-molecular relaxation, the inter-molecular incoherent energy transfer via Förster mecha
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 25/04/2012