Semicondutores
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25. Carbeto de Silício como Material Base para Sensores MEMS de Uso Aeroespacial: Uma Visão Geral
Este artigo discute o emprego do carbeto de silício (SiC), na forma de substrato e filme fino, em sensores MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) para aplicações em ambientes sujeitos a condições extremas, especialmente no setor aeroespacial. As propriedades físicas e químicas do SiC que o tornam um material adequado para dispositivos eletrônicos e
Matéria (Rio J.). Publicado em: 2014-09
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26. Comportamento dúctil de um vidro óptico no torneamento com ferramenta de diamante
Foram feitos testes com o vidro óptico B270® através do torneamento com ferramenta de diamante. Foram aplicadas condições submicrométricas de corte, a fim de se gerar uma resposta dúctil, para o vidro, durante a usinagem. O perfil gerado pela remoção rápida da ponta da ferramenta da superfície usinada, analisado através de um Microscópio de For�
Rem: Rev. Esc. Minas. Publicado em: 2014-06
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27. Comparação entre nanocompósitos de polietileno/nanotubos de carbono e polietileno/nanolâminas de grafeno obtidos por polimerização in situ
Nanocompósitos de polietileno/nanotubos de carbono foram sintetizados através da polimerização in situ para serem comparados com nanocompósitos de polietileno/nanolâminas de grafeno, obtidos nas mesmas condições. Os nanocompósitos de polietileno/NTC foram obtidos com boas atividades catalíticas e foram caracterizados por DSC e MET. Os nanocompósit
Polímeros. Publicado em: 09/05/2014
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28. Electrocatalysis by hydrogenases: lessons for building bio-inspired device
Um grande número de enzimas podem funcionar como excelentes eletrocatalisadores quando colocados sobre eletrodos ou superfícies de materiais condutores ou semicondutores. Em particular, nessa revisão serão abordadas as hidrogenases, que são enzimas com centros catalíticos contendo dois átomos de ferro ou um de ferro e outro de níquel para fazer a int
J. Braz. Chem. Soc.. Publicado em: 2014-03
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29. Refrigerador termoelétrico de peltier usado para estabilisar um feixe laser em experimentos didáticos
É apresentado um experimento onde os alunos montam um sistema de estabilização térmica de um laser de diodo mantido a temperatura controlada e estabilizada utilizando materiais de baixo custo. Um circuito de controle baseado no efeito Peltier foi montado para estabilizar um sistema ótico composto de uma ponteira laser e de optodiodos para a detecção d
Rev. Bras. Ensino Fís.. Publicado em: 2014-03
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30. Síntese e caracterização de sistemas orgânicos semicondutores baseados em tiofeno-fenileno para aplicação em células fotovoltaicas
A combinação, intensificação ou surgimento de novas propriedades em sistemas molecularmente arquitetados e híbridos π-conjugados pode ser estrategicamente explorado na construção de dispositivos optoeletrônicos e produtores e armazenadores de energia. Este trabalho de tese, fruto de uma colaboração multidisciplinar, focaliza a síntese, a cara
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 17/09/2012
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31. Estudo de primeiros princípios das propriedades eletrônicas de novos materiais derivados do grafeno : as nanofitas e nanofios
Nesta tese, estudamos novos materiais derivados de grafeno, as nanofitas e os nanofios de carbono, com o uso de cálculos numéricos baseados na teoria do funcional da densidade (DFT) e na teoria de funções de Green fora do equilíbrio (NEGF). Abordaremos estas teorias de forma geral na tese e ressaltamos que são teorias baseadas em mecânica quântica. O
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 05/09/2012
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32. DIAGNOSIS OF FAULTS IN POWER TRANSFORMERS USING SEMICONDUCTOR GAS SENSORS. / DIAGNÓSTICO DE FALHAS EM TRANSFORMADORES DE POTÊNCIA UTILIZANDO SENSORES DE GAS SEMICONDUTORES.
Esta dissertação introduz o estudo do uso de uma matriz de sensores de gases de dióxido de estanho na detecção de falhas em transformadores de potência, através dos gases dissolvidos no óleo. O objetivo desta pesquisa é analisar os dados obtidos pelos sensores de gás, utilizando algumas técnicas de reconhecimento de padrão, e desta forma, verific
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 30/08/2012
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33. Aplicações de corrosão por plasma usando reatores ICP e RIE para tecnologia MEMS / Plasma etching applications using ICP and RIE reactors for MEMS technology
This thesis is based on etching processes applications in cold plasmas (room temperature) using RIE (Reactive Ion Etching) and ICP (Inductively Coupled Plasma), as reactors, applied to specific areas of microelectronics and MEMS devices in semiconductors industries and laboratories. Five applications are presented: Thinning gate CMOS Transistor - conventiona
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 28/08/2012
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34. Soft error mitigation in asynchronous networks on chip
O aumento agressivo das frequências de operação de sinais de relógio em tecnologias submicrônicas profundas chegou ao seu limite. O uso de relógios globais não é mais viável em tais tecnologias, o que fomenta a popularização do paradigma Globalmente Assíncrono, Localmente Síncrono na construção de sistemas integrados complexos, onde se emprega
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 28/08/2012
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35. Efeito de interface nas propriedades ópticas de pontos quânticos de InP/GaAs / Interface effect on the optical properties of InP/GaAs quantum dots
We studied the effect of different interface conditions on the optical properties of InP/GaAs self-assembled quantum dots grown by chemical beam epitaxy in the Stranskii-Krastanov mode. InP/GaAs quantum dots is expected to present type II band alignment, and only electrons are confined, whereas the holes are localized in the GaAs layers around the quantum do
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/08/2012
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36. Um MPSOC GALS baseado em rede intrachip com geração local de relógio
Devido à evolução das tecnologias nanométricas profundas em semicondutores, hoje é possível a fabricação de sistemas cada vez mais complexos em um único chip. Entretanto, esta evolução está inviabilizando, em alguns casos, práticas de projeto tradi-cionais. O desenvolvimento de sistemas complexos puramente síncronos começa a ser influenciado p
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/08/2012