Semicondutores De Oxido Metalico
Mostrando 13-24 de 25 artigos, teses e dissertações.
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13. A low voltage and high efficiency class D amplifier based on sima-delta modulator designed for hearing-aids applications / Amplificador de audio classe D baseado em modulação sigma-delta destinado a aparelhos auditivos
This thesis presents the design of a firstorder ?-? audioband power amplifier optimized for hearing aid (HA) amplification. The majority of HAs use a 1.1V battery and require very low current consumption to improve battery life. This work made use of amplifiers and comparators based on CMOS inverters because such an inverter, with a 1.1V battery, can operate
Publicado em: 2007
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14. Transistor de base metálica tipo "p" eletrodepositado
O Transistor de base metálica (TBM) é um tipo especial de transistor idealizado e desenvolvido no início da década de 1960, que possui potencial interesse no desenvolvimento atual de dispositivos spintrônicos. O objetivo principal desta tese é desenvolver e caracterizar um TBM tipo p fabricado inteiramente por eletrodeposição, buscando potenciais apl
Publicado em: 2007
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15. Design of low-voltage CMOS class-AB operational amplifiers / Projeto de amplificadores operacionais CMOS classe-AB operando em baixa tensão de alimentação
This dissertation describes the process of designing rail-to-rail operational amplifiers in CMOS technology. To accomplish this, the author focused on four distinct structures. The four topologies have rail-to-rail input stage with gm-control circuit and Class-AB output stage with quiescent-current control. The specification of three configurations included
Publicado em: 2006
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16. Tecnologia LOCOS utilizando nitretos de silicio depositados por ECR-CVD / LOCOS technology using silicon nitride deposited by ECR-CVD
Silicon nitride (SiNx) insulators for LOCOS applications have been deposited by RP/RTCVD and ECR-CVD at room temperature, at low pressure (5mTorr), with N2 flows of 2.5, 5, 10 and 20sccm with fixed SiH4/Ar flows of 200/20sccm with a microwave power of 1000W on SiO2-Pad/Si and Si substrates. SiNx/Si structures were obtained to analyze the physical characteris
Publicado em: 2005
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17. Fonte de tensão de referencia ajustavel implementada com transistores MOS / Adjustable voltage reference source implemented with MOS transistors
Uma nova técnica de compensação de temperatura para implementar tensões de referência em circuitos CMOS é descrita, desde o seu fundamento teórico até a comprovação experimental feita com amostras de circuitos integrados protótipos que a implementam. A ténica proposta se baseia no fato de que a tensão entre gate1, e fonte, VGS, de um transistor
Publicado em: 2005
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18. Corrosão por plasma para tecnologias CMOS e microssistemas
Esta tese apresenta os resultados do desenvolvimento e da otimização de uma tecnologia própria na área de fabricação de dispositivos CMOS e Microssistemas, realizados no Centro de Componentes Semicondutores da UNICAMP, pretendendo desenvolver processos em uma das técnicas mais críticas da microfabricação: corrosão de materiais por plasmas. Neste t
Publicado em: 2003
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19. Projeto de uma fonte de tensão de referencia do tipo bandgap em tecnologia CMOS
This work aims at the project and implementation of a bandgap voltage reference source in CMOS technology. It presents a summary of commonly adopted bandgap circuits, as well as a discussion over their features. This text is divided in 6 chapters, the first one being an introduction of the concept of a bandgap circuit. The second chapter is an overview of th
Publicado em: 2002
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20. Tratamento de corante reativo e lignina sulfonato pelo processo fotocatalitico eletroquimicamente assistido
Neste trabalho, a degradação de corante Azul Reativo 19 e Lignina Sulfonato, substratos bastante representativos da composição de efluentes papeleiros e têxteis, foi estudada utilizando-se três processos oxidativos diferentes: a) Sistema fotocatalítico fundamentado na utilização de dióxido de titânio dopado com dióxido de rutênio, para a investi
Publicado em: 2002
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21. Projeto e construção de uma porta universal CMOS em logica ternaria
In this work we developed a universal gate in temary logic through Post algebra; using this gate we could develop some well known circuits from binary logic like Flip-Flops and Adders. These circuits were simulated using Spice and the Lay-Out was developed using tools like Tanner and L YS; to construct the integrated circuit we use a foundry that we already
Publicado em: 2001
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22. Instrumento microprocessado de baixo custo para avaliação da temperatura em perfil de solo
Este artigo descreve um instrumento microprocessado de baixo custo para avaliação in situ da temperatura em perfil de solo na faixa de -20,0°C a 99,9°C com armazenagem de dados de até oito profundidades, de 2 a 128 centímetros. A temperatura do solo é de grande importância para o crescimento de plantas, absorção de nutrientes, fluxo de gases e estr
Pesquisa Agropecuária Brasileira. Publicado em: 2000-11
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23. Contribuição ao estudo do fenomeno de injeção de carga em chaves analogicas MOS
Este trabalho apresenta um estudo teórico-experimental sobre o fenômeno de injeção de carga, que ocorre em circuitos a capacitores chaveados durante a transição de abertura das chaves analógicas MOS. Inicialmente é feita uma análise teórica sobre esse fenômeno, abordando as estratégias reportadas até então, para minimizar o efeito de injeção
Publicado em: 1994
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24. Obtenção e caracterização de filmes de silicio policristalino para aplicação em tecnologia MOS porta de silicio
Not informed
Publicado em: 1984