Semicondutores Amorfos
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13. Contribuição ao estudo das propriedades dieletricas e mecanicas dos filmes finos de a-C:H, obtidos por PECVD
ormado.
Publicado em: 2001
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14. Aspectos estruturais e eletronicos de clusters de silicio e germanio dopados com nitrogenio
A importância dos semicondutores no campo tecnológico tem sido contrastado pela ausência significativa de informações teóricas sobre sua natureza, bem como da ação de possíveis impurezas. Neste trabalho nos concentramos em alguns aspectos relacionados às propriedades de semicondutores de Si e Ge. Especial ênfase foi dada ao N em função da sua po
Publicado em: 2001
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15. Estudo da produção e evolução de pinholes em filmes finos de a-Ge0.9Si0.1:H e a-Ge0.9Si0.1
Neste trabalho, apresentamos resultados experimentais de um estudo de pinholes em filmes finos de a-Ge0.9Si0.1: H e a-Ge0.9Si0.1. As amostras foram depositadas pela técnica de Ion Beam Sputtering Deposition, usando kriptônio e argônio como gás de sputtering. Os pinholes foram observados por microscopia óptica em amostras crescidas sobre vidro usando dif
Publicado em: 2001
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16. Fotocondutividade dependente da temperatura em filmes finos de germanio amorfo hidrogenado dopado com galio e arsenio
Nesta tese apresentamos um estudo da dependência da fotocondutividade, I P C, com a temperatura, T, em filmes finos de a-Ge:H intrínsecos e dopados tipo p, com gálio e tipo n, com arsênio, crescidas por rf-sputtering no Laboratório de Pesquisas Fotovoltáicas do IFGW/Unicamp. Foram realizados quatro tipos de medidas nas amostras: (i) I P C em função d
Publicado em: 2001
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17. Vizinhança quimica de Er em a-Si:H
Não informado
Publicado em: 2000
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18. Study of PbTiO3 (PT) ceramic powers using the polymeric precursor method. / Estudo de pós cerâmicos de PbTiO3 utilizando-se o método dos precursores poliméricos.
NO ESTUDO DE PÓS CERÂMICOS DE PbTiO3 (PT) UTILIZANDO-SE O MÉTODO DOS PRECURSORES POLIMÉRICOS, foi preparada uma solução precursora de cátions métálicos, empregando-se ácido cítrico como agente quelante e etilenoglicol como agente esterificante e polimerizante. Esta solução, foi submetida ao tratamento térmico, à temperaturas ao redor de 300 C,
Publicado em: 2000
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19. Influencia do oxigenio na fotoluminescencia do Er3+ em a-Si:H
Neste trabalho apresentamos os resultados da influência do oxigênio na intensidade da fotoluminescência do Er3+ em a-SiOx:H. Amostras foram depositadas na forma de filmes finos pela técnica de rf-sputtering. Foi usado um alvo de Silício parcialmente coberto por pequenos pedaços de Er metálico. O gás de sputtering consistiu numa mistura de Ar+H2+O2. A
Publicado em: 2000
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20. Estudo das propriedades fisicas de nitreto de carbono amorfo obtido por decomposição assistida por feixe de ions (IBAD)
Considero que este trabalho contribui na interpretação coerente de resultados espectroscópicos de XPS, UPS, IR, Raman e UV-VIS de um conjunto de mais de 80 filmes de a-C, a-C:H, a-CNxe a-CNx:H depositados por deposição assistida por feixe de íons (IBAD). A variação controlada de parâmetros como a [N], [H], temperatura, corrente e energia de íons in
Publicado em: 2000
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21. Estudo de semicondutores amorfos dopados com terras raras (Gd e Er) e de polimeros condutores atraves das tecnicas de RPE e susceptibilidade magnetica
Este trabalho de tese aborda dois sistemas de estudo: semicondutores amorfos e polímeros condutores. Ambos os sistemas foram estudados através da técnica de RPE, sendo ainda utilizadas as técnicas de susceptibilidade magnética, Raman e RBS (estas duas últimas como técnicas complementares), para o estudo de semicondutores amorfos. No estudo de semicond
Publicado em: 1999
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22. Cristalização uniforme e seletiva de materiais semicondutores amorfos utilizando pulsos curtos de uma fonte de luz laser
We have investigated the laser induced crystallization of amorphous semiconductors using short-pulses (5-7 ns wide) from the second harmonic (l = 532 nm) of a Nd:Yag laser source. The main studied material was the amorphous germanium (a-Ge), while some alloys like its hydrogenated counterpart (a-Ge:H), silicon-germanium (a-SiGe) and germanium nitride (a-GeN)
Publicado em: 1998
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23. Bismuth doping of hydrogenated amorphous germanium
t: The addition of small quantities of bismuth to hydrogenated amorphous germanium (a-Ge:H), changed its electrical conductivity and bandgap. Detailed data were obtained from measurements of electrical conductivity, optical and infrared transrnission, and from photothermal deflection spectroscopy. Films of a-Ge:H having Bi atomic concentrations ranging betwe
Publicado em: 1998
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24. Propriedades optico-estruturais de filmes de a-Ge:H crescidos por Sputtering assistido por feixe de ions
Neste trabalho, apresentamos resultados experimentais de filmes de germânio amorfo hidrogenado, que são relacionados com a influência de parâmetros de deposição como temperatura do substrato, hidrogenação da amostra, taxa de deposição e bombardeamento in situ. As amostras foram depositadas pela técnica de Ion Assisted Ion Beam Sputtering, na qual
Publicado em: 1998