Eletrons Metodos De Simulacao
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1. Estrutura eletrônica de anéis quânticos
As estruturas nanoscópicas de topologia anelar, ou anéis quânticos, têm atraído o interesse devido a sua simetria rotacional única e à possibilidade de verificar fenômenos quânticos fundamentais. Dentre eles, o estudo de efeitos relacionados à interferência do tipo Aharonov-Bohm aparece com especial ênfase. Cálculos analíticos da estrutura elet
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 09/08/2011
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2. Desenvolvimento de processo litográfico tri-dimensional para aplicação em microóptica integrada. / Development of three-dimensional lithographic process for application in integrated micro-optics.
O presente trabalho tem como objetivo desenvolver um processo de fabricação de elementos micro-ópticos utilizando-se litografia por feixe de elétrons, empregando o resiste SU-8, negativo e amplificado quimicamente, sobre substrato de Si. Para tanto, é realizado o estudo dos parâmetros do efeito de proximidade a, b e h para se modelar e controlar os efe
Publicado em: 2010
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3. Electrochemical behavior of hexamethylbenzene isocloso ruthenium-borane complex at a glassy carbon electrode in non-aqueous medium
O comportamento eletroquímico do complexo rutênio-borano [(C6Me6)-isocloso-1-RuB9 H9] foi investigado utilizando um eletrodo de carbono vítreo em 0,1 mol L-1 de perclorato de tetrabutil amônio dissolvido em cloreto de metileno, utilizando um intervalo de temperatura entre -20 ºC < T < 21 ºC. Utilizaram-se técnicas de voltametria cíclica convolutiva,
Journal of the Brazilian Chemical Society. Publicado em: 2010
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4. Moleculas organicas sobre superficies metalicas : uma investigação teorica / Organic molecules on metalic surfaces : a thoretical investigation
Recently, the first molecular nanowheel was characterized with scanning tunneling micro-scope experiments. It was demonstrated that a specifically designed hydrocarbon molecule (C44H24) could roll over a copper substrate along the [110] direction of a surface. The molecule consists in two wheels based on two triptycene groups which are connected by an axle.
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 08/07/2009
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5. Simulação do pico de superfície de Al e Si
Espalhamento de íon de energia média (MEIS), em conjunto com as técnicas de sombreamento e bloqueio, representa um poderoso método para a determinação de parâmetros estruturais e vibracionais de superfícies cristalinas. Apesar disto, as formas do espectro de perda de energia iônica não são, normalmente, completamente analisadas, pois requerem um c
Publicado em: 2007
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6. Simulação de O-pinches com tres fluidos : eletrons, ions e ions refletidos
A one dimensional three fluid model, one for ions, the other for electrons and a third fluid for the reflected ions is derived and it is used to simulate implosions of q-pinches. The model to handle the reflected ions treats the reflections that occur in the abrupt potentials, that develop during the implosion, as collisions. Moments of these collisional ter
Publicado em: 1987
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7. Simulação numerica de um theta-pinch : modelo hibrido bidimensional
Foi elaborado um código numérico segundo um modelo Híbrido-2D, em que os elétrons são tratados como um fluidos de massa zero, e os íons como partículas discretas. O campo magnético que acelera os íons é obtido a partir da equação do movimento dos elétrons e das equações de Maxwell. Os íons são distribuídos aleatoriamente num espaço de fase
Publicado em: 1987
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8. O metodo de elementos finitos na simulação de uma função pn abrupta
O objetivo desta dissertação é o estudo do comportamento qua_ litativo das densidades de elétrons e lacunas e do potencial eletrostático em uma junção pn abrupta. O modelo matemático adotado para descrever a condução elétrica nos dispositivos semicondutores,que envolve ofluxo de dois portadores de carga independentes e opostamente carregados,que s
Publicado em: 1983
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9. Simulação de um "0 pinch" por modelo de dois fluidos
Foram usados os três primeiros momentos da equação de Boltzmann, para ions e elétrons, juntamente com as equações de Maxwell, para simular o estágio inicial de implosão de um "q - pinch " de baixa densidade em um computador digital. Segundo o modelo de Braginskii foram calculados os termos de transporte clássico. A resistividade anômala foi introdu
Publicado em: 1979