Simulação do comportamento térmico de transistores MOS com o uso de modelos acoplados.
AUTOR(ES)
Arabatzoglou, Gabriel Batistela
DATA DE PUBLICAÇÃO
2008
RESUMO
Em diversas aplicações de alto desempenho, é necessário conhecer o efeito da variação da temperatura no funcionamento do circuito eletrônico e de seus dispositivos. Apesar de modificar enormemente o desempenho e característica, a influência da temperatura no comportamento dos dispositivos semicondutores não é satisfatoriamente modelada nos simuladores "SPICE-Like". Os componentes que operam com tecnologia MOS são os mais empregados na atualidade, e desta forma, é de grande relevância o modelamento térmico destes dispositivos e sua integração com o modelo elétrico já presente nos simuladores eletrônicos. Esta tese apresenta preliminarmente, um estudo térmico dos dispositivos MOS com a conseqüente geração de um modelo que possa ser acoplado ao modelo elétrico. Também é apresentada uma técnica de extração dos parâmetros do modelo, tendo como referência os dados no manual do próprio dispositivo. Finalmente, é apresentado o acoplamento entre os modelos elétrico e térmico através de um exemplo de simulação.
ASSUNTO(S)
semicondutores a óxido metálico dispositivos semicondutores equilibrio termodinâmico simulação transistores
ACESSO AO ARTIGO
http://www.bd.bibl.ita.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=1075Documentos Relacionados
- Modelo do descasamento (Mismatch) entre transistores MOS
- Estudo comparativo do desempenho de controladores robustos aplicados a um sistema de tanques acoplados.
- Modelos Dinâmicos Acoplados para Simulação da Ecologia do vetor Aedes aegypti
- Modelo do descasamento (mismatch) entre transistores MOS
- Simulação do ensaio de indentação em filmes finos com o uso de modelos de trinca difusa