Production and characterization of thin films of hydrogenated amorphous silicon obtained by 60hz glow discharge. / Produção e caracterização de filmes finos de silício amorfo hidrogenado por descarga luminescente a 60hz.

AUTOR(ES)
DATA DE PUBLICAÇÃO

1994

RESUMO

Apresentamos neste trabalho uma técnica alternativa para a obtenção de filmes finos de silício amorfo hidrogenado (α-Si:H). Nós depositamos α-Si:H em um sistema de deposição que utiliza descarga luminescente a baixas freqüências (60Hz). Para tanto, nós projetamos todo o reator para que este objetivo pudesse ser atingido. Os filmes obtidos por nós mostram propriedades ópticas e eletrônicas bastante próximas aquelas dos filmes produzidos pela técnica convencional de descarga luminescente a radiofreqüência (13,56 MHz). A temperatura do substrato ótima para a técnica de descarga luminescente a baixas freqüências está na faixa 150-170°C, em torno de 100°C menor do que aquela usada para radiofreqüência. Neste trabalho nós apresentamos medidas das propriedades dos filmes, incluindo condutividade no escuro, fotocondutividade, comprimento de difusão ambipolar, absorção no infra-vermelho, gap óptico, e densidade de defeitos de níveis profundos. Para realizar parte destas medidas, nós construímos sistemas experimentais de caracterização exclusivos para o α-Si:H.

ASSUNTO(S)

glow discharge optical properties propriedades estruturais descarga luminescente hydrogenated amorphous silicon electrical properties propriedades ópticas silício amorfo hidrogenado propriedades elétricas structural properties

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