Caracterização de heteroestruturas InP/GaAs(100) por difração multipla de raios-X

AUTOR(ES)
DATA DE PUBLICAÇÃO

1995

RESUMO

Neste trabalho, os casos de três feixes de superfície (000 200 111) da difração múltipla de raios-X são utilizados de forma inédita, na caracterização de heteroestruturas InP/GaAs(100) crescidas por epitaxia de feixe molecular com fonte gasosa (GSMBE). Um programa desenvolvido para a simulação do perfil e posição desses casos de três feixes nos diagramas Renninger, foi utilizado na detem1inação da largura mosaico paralela (hf) e perpendicular (hw ) à direção do crescimento da camada. Valores menores de ambas as larguras obtidos para as amostras que sofreram tratamento térmico rápido (RT A), indicam que esse tratamento após o crescimento, realmente melhora a perfeição cristalina das camadas. A análise do parâmetro de rede da camada na direção paralela à sua superfície, também obtido do programa, em função da temperatura de nucleação, mostrou que os resultados seguem o modelo de tensão térmica na camada, no qual a temperatura de nucleação é mais importante do que a temperatura de crescimento das camadas de lnP .A condição angular da difração múltipla, quando analisada em detalhes através da variação do ângulo de incidência w e do ângulo de rotação f em tomo da direção [100], acarreta no mapeamento desta condição. Um método baseado nas varreduras w :f , que permite a análise da desorientação superficial dos blocos mosaicos ou das grandes regiões perfeitas difratantes em cristais quase-perfeitos, foi aplicado pela primeira vez em heteroestruturas, no sistema InP/GaAs deste trabalho. A curvas de isointensidade dessas varreduras para o substrato GaAs, permitiu observar diretamente o efeito da tensão provocada pelo crescimento da camada de lnP , na rede do substrato

ASSUNTO(S)

raios x - difração semicondutores

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