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1. Controle coerente das bandas de emissão do ZnO através de algoritmo genético / Coherent control of the emission bands of ZnO using genetic algorithms
Neste trabalho, investigamos o controle coerente das bandas de emissão, excitadas via absorção multifotônica, em um cristal de óxido de Zinco (ZnO) através das formatação de pulsos laser ultracurtos (790 nm, 30 fs, 80 MHz e 5 nJ). O ZnO vem se mostrado um possível candidato a dispositivos fotônicos devido a sua grande energia de ligação de éxcit
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 14/02/2012
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2. Cálculos de estrutura eletrônica de materiais e nanoestruturas com inclusão de autoenergia: Método LDA - 1/2. / Electronic structure calculations of material and nanostructures with the inclusion of the self-energy: the LDA - 1/2 method.
Neste trabalho, utilizamos o desenvolvimento recente do método DFT/LDA-1/2 para cálculos de estados excitados em materiais. Começamos com um resumo da teoria do funcional da densidade (DFT) e incluímos uma introdução ao método LDA-1/2 para cálculos de excitações em sólidos. Na compilação dos resultados esperamos ter demonstrado a utilidade do LD
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 13/12/2011
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3. Fabrication and characterization of tellurite and germanate waveguides for optoelectronics applications. / Produção e caracterização de guias de onda de telureto e germanato para aplicações em optoeletrônica.
The objective of this work is the production and characterization of GeO2-PbO and TeO2-ZnO waveguides. The waveguides were produced using thin films and glasses by means of different procedures. The films were produced using the RF magnetron sputtering method and characterized by a variety of techniques. In particular, scanning electron microscopy was essent
Publicado em: 2010
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4. Estudo teórico da dupla dopagem de metais de transição em GaN e ZnO: ligas e heteroestruturas.
A spintrônica, que está inserida na nanotecnologia, se mostra hoje muito promissora no sentido de aprimorar outras tecnologias como a própria eletrônica convencional, a fotônica, a computação quântica, etc. Ela se baseia no transporte e manipulação do spin dos portadores em sistemas de estado sólido. No entanto, para sua implementação necessitam
Publicado em: 2009
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5. Studies of the magnetic properties on Mn-doped GaAs and Zn1-xCoxO thin films / Estudos das propriedades magneticas dos filmes finos de GaAs diopado com Mn e de Zn1-xCoxO
Ferromagnetic semiconductors (FM) are compounds of technological interest due to the possibility of combining their charge and spin degrees of freedom when producing electronic devices. In particular, semiconductor thin films doped with transition metal have become focus of intense scientific investigation since ferromagnetism with reasonably high Curie temp
Publicado em: 2007