Tunelamento De Banda Para Banda
Mostrando 1-12 de 17 artigos, teses e dissertações.
-
1. Efeitos de spin em diodos de tunelamento ressonante tipo-p
Neste trabalho investigamos efeitos de spin em diodos de tunelamento ressonante p-i-p de GaAs/AlAs na presença de campo magnético paralelo à corrente túnel. Para isso, realizamos um estudo sistemático das curvas características de corrente-voltagem I(V) e da fotoluminescência (PL) resolvida em polarização das camadas do contato e do poço-quântico
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/03/2012
-
2. Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo. / Study of tunnel field effect transistors.
This works presents the study of tunneling field effect transistors, namely TFETs. Analyses were performed based on theoretical explanations, numerical simulations and experimental data in order to show this technology suitability as an alternative for the continuous devices scaling. The basic idea of making use of band-to-band tunneling as the main current
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 26/03/2012
-
3. Propriedades óticas e de transporte em heteroestruturas semicondutoras contendo GaMnAs
Neste trabalho, realizamos um estudo sistemático em poços quânticos de Ga1- xMnxAs/GaAs/AlAs (QWs) com baixa concentração de manganês (x <0,1%) crescidos por epitaxia de feixe molecular em altas temperaturas de crescimento do substrato 400 e 450C. Estudamos as medidas de fotoluminescência resolvida no tempo e fotoluminescência resolvida em polarizaç
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 14/10/2011
-
4. Caracterização de níveis de defeitos próximos à banda de valência em GaAs implantado com prótons
No presente trabalho, foi utilizada a técnica de Espectroscopia de Transientes de Níveis Profundos (DLTS - Deep Level Transient Spectroscopy) para identificar e caracterizar níveis profundos com energias mais próximas à da banda de valência do GaAs introduzidos por implantação de prótons. Dois níveis foram identificados: um com energia Et1 = Ev +0.
Publicado em: 2011
-
5. DinÃmica de pacotes de onda em semicondutores e grafeno e de vÃrtices em supercondutores
Este trabalho se divide em duas partes. Na primeira, analisamos a evoluÃÃo temporal de pacotes de onda em sistemas de baixa dimensionalidade. Para isso, resolvemos a equaÃÃo de SchrÃdinger dependente do tempo a partir do mÃtodo split-operator, que à de fÃcil implementaÃÃo computacional e permite ser expandido para sistemas com mais dimensÃes. Calc
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 13/12/2010
-
6. Efeitos da modulação de interferência quântica nas propriedades de transporte eletrônico em nanofitas armchair de Grafeno: Pseudo-spintrônica e análogo relativístico de Klein / Modulation effects of quantum interference in the electronic transport properties of armchair graphene nanoribbons: Pseudo-spintronics and Kleins similar relativistic
No presente trabalho, temos estudado o transporte eletrônico quântico em fitas de grafeno com bordas tipo armchair (FGA). Estas fitas são caracterizadas por apresentar um comportamento semicondutor ou metálico segum a largura que adote. A presença de uma barreira de potencial na FGA gera um deslocamento da estrutura de banda na região do potencial, pos
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 11/11/2009
-
7. Correlação eletrônica e interação Spin - órbita dos elétrons em dois pontos quânticos acoplados
Nós desenvolvemos um estudo sistemático dos efeitos do confinamento quântico, tunelamento entre dois pontos quânticos, interação Coulombiana entre elétrons e interação spin-órbita sobre estrutura eletrônica e propriedade magnética dos pontos quânticos acoplados lateralmente InAs/GaAs. Os cálculos foram baseados na aproximação de Heitler - Lon
Publicado em: 2009
-
8. Propriedades opticas de pontos quanticos empilhados de InP/GaAs / Optical properties of stacked inP/GaAs quantum dots
Nesta dissertação, estudamos as propriedades ópticas e estruturais de pontos quânticos (QDs) empilhados de InP/GaAs, crescidos por método de auto-formação, conhecido como o modo Stranskii-Krastanov, em um sistema de epitaxia por feixe químico. Os pontos quânticos de InP/GaAs possuem alinhamento das bandas tipo-II nas interfaces, onde somente o elét
Publicado em: 2007
-
9. Optical properties of stacked InP/GaAs quantum dots / Propriedades opticas de pontos quanticos empilhados de InP/GaAs
Nesta dissertação, estudamos as propriedades ópticas e estruturais de pontos quânticos (QDs) empilhados de InP/GaAs, crescidos por método de auto-formação, conhecido como o modo Stranskii-Krastanov, em um sistema de epitaxia por feixe químico. Os pontos quânticos de InP/GaAs possuem alinhamento das bandas tipo-II nas interfaces, onde somente o elét
Publicado em: 2007
-
10. Análise do modelo t-J e sua aplicação aos compostos de óxidos de cobre
Neste trabalho estudamos modelos teóricos que descrevem sistemas eletrônicos fortemente correlacionados, em especial o modelo t-J, e suas aplicações a compostos de óxidos de cobre, notadamente os compostos que apresentam supercondutividade de alta temperatura crítica e o composto Sr2CuO2Cl2. No primeiro capítulo do trabalho, fazemos uma exposição de
Publicado em: 2007
-
11. Preparação e caracterização de nanoestruturas de carbono contendo nitrogenio / Synthesis and characterization of carbon nanostructires containing nitrogen
Nesta tese são apresentados os efeitos nas propriedades estruturais, eletrônicas e de emissão eletrônica por efeito de campo elétrico induzidos pela incorporação de nitrogênio em nanoestruturas de carbono. As nanoestruturas de carbono contendo nitrogênio foram preparadas por pulverização catódica (sputtering) de um alvo de grafite assistido, ou n
Publicado em: 2007
-
12. Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe crescidas por epitaxia de feixe molecular / PbTe/PbEuTe double barrier structures grown by molecular beam epitaxy
Este trabalho apresenta o crescimento por epitaxia de feixe molecular de estruturas de barreira dupla (BD) de PbTe/Pb$_{1-x}$Eu$_{x}$Te e o processamento do dispositivo, visando à medida de tunelamento ressonante. As amostras foram crescidas sobre substratos de BaF$_{2}$ (111) à temperatura de 300$°$C. Medidas de resistividade e efeito Hall foram realizad
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 20/04/2006