Transistores De Efeito De Campo
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13. Análise dos procedimentos de medida de dispositivos EGFET utilizando filmes de FTO / Analysis of measurement procedures of EGFET devices using FTO films
Ao longo dos anos a medicina vem se desenvolvendo rapidamente e junto com ela desenvolvem-se os métodos e processos de diagnósticos. Estes métodos ficam mais rápidos, precisos e cada vez menos invasivos graças ao desenvolvimento de dispositivos diagnósticos a cada dia menores e que produzam respostas confiáveis. Os biossensores são, sem dúvida, os g
Publicado em: 2010
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14. Estudo das propriedades estruturais e de transporte eletrônico em nanoestruturas de óxidos semicondutores e metálicos
Neste trabalho foram investigadas características estruturais e de transporte eletrônico em nanoestruturas óxidas sintetizadas por métodos baseados em fase de vapor: os métodos VLS e VS. Amostras de In2O3 e ITO foram caracterizadas quanto às suas características estruturais usando-se técnicas experimentais como XRD, HRTEM e FEG-SEM e comprovou-se que
Publicado em: 2010
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15. Transistor de efeito de campo (FET) para detecção quimica e bioquimica utilizando dieletrico de porta constituido de camada empilhada SiNx/SiOxNy / Field effect transistors (FET) with dielectric gate made of a stacked layer SiNx/SiOxNy for chemical and biochemical detection
Esta dissertação consiste de duas etapas. Inicialmente são estudados filmes de nitreto de silício depositados por LPCVD, Low Pressure Chemical Vapor Deposition, utilizando-se diferentes relações de concentração de gases reagentes, [SiH2Cl2]/[NH3], e utilizando-se como substrato lâminas de silício tipo p, com e sem camada almofada de oxinitreto de s
Publicado em: 2009
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16. Design de novos dispositivos moleculares: transistores de efeito de campo e retificadores de molÃculas individuais. / Design de novos dispositivos moleculares: Transistores de efeito campo e retificadores moleculares
O uso de polÃmeros orgÃnicos conjugados como materiais ativos à realidade promissora para evoluÃÃo da eletrÃnica molecular. As aplicaÃÃes esperadas neste campo vÃo para alÃm da simples substituiÃÃo dos semicondutores inorgÃnicos habituais. Neste trabalho investigamos atravÃs de mÃtodos baseados em Hartree-Fock (HF) as propriedades elÃtricas e
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 11/07/2008
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17. Modelo do descasamento (Mismatch) entre transistores MOS / Modelo do descasamento (Mismatch) entre transistores MOS
Diversos modelos teóricos para o descasamento entre dispositivos na tecnologia MOS foram propostos desde a década de 80, sendo que geralmente estes pecam ou pela simplicidade, sendo válidos apenas sob condições de operação específicas, ou por resultarem em expressões muito complexas, o que torna necessário o uso de pesados recursos computacionais.
Publicado em: 2008
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18. Modelo do descasamento (mismatch) entre transistores MOS / Mismatch model for MOS transistors
Diversos modelos teóricos para o descasamento entre dispositivos na tecnologia MOS foram propostos desde a década de ’80, sendo que geralmente estes pecam ou pela simplicidade, sendo válidos apenas sob condições de operação específicas, ou por resultarem em expressões muito complexas, o que torna necessário o uso de pesados recursos computacionai
Publicado em: 2008
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19. Físico-química do hidrogênio em óxidos e silicatos de háfnio para aplicação como dielétrico de porta
Após quatro décadas de sucesso do SiO2 (e SiOxNy), as novas gerações de Transistores de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor utilizarão dielétricos de porta de materiais alternativos, dentre os quais se destacam o óxido (HfO2) e os silicatos de háfnio (HfSixOy). Para implementar esses novos dielétricos, é crucial controlar seus defeitos, em pa
Publicado em: 2008
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20. Development of devices based on GaAs substrate with passivation by ECR plasma / Desenvolvimento de dispositivos baseados em substrato de GaAs com passivação por plasma ECR
Este trabalho apresenta um método simples de passivação de superfícies semicondutoras III-V de substratos de arseneto de gálio (GaAs) e de heteroestruturas de fosfeto de gálio-índio sobre arseneto de gálio (InGaP/GaAs), que são utilizados em transist res de efeito de campo, MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) e MISFET Metal-Insulato
Publicado em: 2007
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21. Fabrication of ISFET-Microsensors based on Ag and Au Nanoelectrodes / Desenvolvimento de Microssensores do tipo ISFETs a base de Nanoeletrodos de Ag e Au
Conjuntos de transistores de efeito de campo sensíveis a íons (ISFETs) foram desenvolvidos no presente trabalho. Implementou-se durante a fabricação destes uma etapa adicional de anodização que possibilitou a formação de uma fina camada de alumina porosa sobre suas portas. Esta serviu como dielétrico e também molde para o crescimento de nanocristai
Publicado em: 2007
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22. Filmes finos dielétricos para dispositivos microeletrônicos avançados
Apresentamos mecanismos de formação e de degradação térmica de filmes fi- nos (espessura da ordem de 10 nm) de diferentes dielétricos sobre substrato de silício monocristalino. Tendo em vista a aplicação dessas estruturas em MOSFETs (transistores de efeito de campo metal-óxido-semicondutor), estudamos o consagrado óxido de silício (SiO2), os atua
Publicado em: 2007
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23. Transporte atômico e estabilidade em dielétricos alternativos para a tecnologia do Si
Esta tese trata do estudo experimental de fenômenos de transporte atômico e reação química em filmes ultra-finos dielétricos sobre Si. Esses dielétricos são materiais alternativos ao óxido de silício utilizado em dispositivos basedos na estrutura metal-óxido-semicondutor. Foram investigados os seguintes materiais: silicato e aluminato de háfnio,
Publicado em: 2007
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24. Analogic memories characterization implemented with floating gate MOS transistors / Caracterização de memorias analogicas implementadas com transistores MOS floating gate
Monolithic integration of memories and analog circuits ,in the same die offers interesting advantages like: smaller application boards, higher robustness and mainly lower costs. Today, a profitable integration of these kind of circuit can only be possible using conventional CMOS technology, which allows efficiently extraordinary levels of integration. Thus,
Publicado em: 2005