Silacio Poroso
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1. Transporte eletrÃnico em semicondutores porosos baseado na equaÃÃo de Schrodinger dependente do tempo. / Electronic transport in porous semiconductors based in time dependent Schrodinger equation.
Neste trabalho, propomos um uma pesquisa teÃrica onde estudamos as propriedades de um pulso eletrÃnico em uma camada de silÃcio poroso, injetado sob uma certa voltagem externa V. Desta forma, podemos definir fundamentalmente a forma das curvas T X V e R X V, onde T Ã o coeficiente de transmissÃo e R Ã o coeficiente de reflexÃo do pacote de onda atrav�
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 16/02/2012
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2. SÃntese e caracterizaÃÃo de filmes finos de ITO e de silÃcio poroso
Desenvolveu-se um processo de produÃÃo de filmes finos de Ãxido de Ãndio dopado com estanho (ITO) com espessuras tÃpicas de 120 nm, depositados em substratos de vidro pela tÃcnica de evaporaÃÃo tÃrmica reativa (ETR). Os efeitos da pressÃo parcial de oxigÃnio durante a deposiÃÃo e do tratamento tÃrmico em oxigÃnio nas propriedades elÃtricas, e
Publicado em: 2008
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3. Heteroestruturas de semicondutores IV-VI sobre Si obtidas por MBE para aplicaÃÃo em detectores de infravermelho.
Este trabalho investiga pela primeira vez o crescimento epitaxial por MBE - Molecular Beam Epitaxy - e anÃlise in-situ com RHEED - Reflection High Energy Electron Diffraction - de compostos IV-VI diretamente sobre silÃcio. Exceto por alguns poucos e incompletos trabalhos anteriores, esta estrutura à praticamente desconhecida. Estas heteroestruturas necess
Publicado em: 2000