Semicondutores Dopagem
Mostrando 25-36 de 68 artigos, teses e dissertações.
-
25. Espectroscopia Raman ressonante em nanotubos de carbono funcionalizados. / Resonant Raman Spectroscopy in carbon nanotubes functionalized
Esta tese consiste no estudo do processo de sÃntese e funcionalizaÃÃo de nanotubos de carbono. A sÃntese dos nanotubos de carbono foi realizada usando a tÃcnica de deposiÃÃo quÃmica a partir da fase vapor (CVD). Foram sintetizados Nanotubos de parede simples (SWNTs) e mÃltipas (MWNTs) . A diferenÃa bÃsica das metodologias usadas para preparar as a
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 24/06/2008
-
26. Contribuição para a sintese de diamante nanocristalino com dopagem de boro / Contribution towards the synthesis of boron doped nanocrystalline diamonds
This thesis presents a study of the growth and characterization of nano crystalline diamonds produced by the hot-filament chemical vapor deposition (CVD) with the introduction of boron during the growth process. Our objective was to produce samples with good electrical properties for field induced emission of electrons (FEE) to the vacuum. Characterization o
Publicado em: 2008
-
27. Dopagem tipo-n em estruturas SIMOX
Foram estudadas a ativação elétrica e a redistribuição de As (dopante tipo n) implantado em SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Estruturas SIMOX com diferentes espessuras da camada superficial de Si e do óxido enterrado foram usadas. As implantações de As+ foram feitas com a energia de 20 keV e doses de 5x1014cm-2 ou 2x1015cm-2. Um perfil em form
Publicado em: 2008
-
28. Fabricatins and Characterization of lead iodide films and mercury iodide crystals. / Fabricação e caracterização de filmes finos de iodeto de chumbo e cristais de iodeto de mercúrio
Nos últimos anos, acentuou-se o interesse em materiais semicondutores com alto número atômico e alto gap de energia para aplicações na detecção de radiação ionizante à temperatura ambiente, usando o método direto de detecção. Este trabalho apresentara as características de dois materiais semicondutores na forma de filme para o iodeto de chumbo
Publicado em: 2008
-
29. Estudo da estrutura eletronica e das propriedades opticas de copolimeros formados por vinilenos e aneis de tiofeno / Study of electronic structure of the propriety optics of copolymers make for vinylene and rings of tiophene
Antes da década de 70, todos os materiais poliméricos eram considerados como isolantes e suas aplicações tecnológicas levavam em conta esta característica. De lá para cá, uma nova classe desses materiais, os polímeros conjugados, determinaram uma nova forma de aplicação de sistemas poliméricos baseados em suas propriedades elétricas e de ótica
Publicado em: 2008
-
30. Propriedades eletrônicas de heteroestruturas semicondutoras magnéticas diluídas. / Electronic properties of diluted magnetic semiconductor heterostructures
Neste trabalho e apresentado um estudo, via teoria de massa efetiva multibanda autoconsistente de heteroestruturas de semicondutores magnéticos diluídos, generalizada para incluir parâmetros de diferentes materiais. A interacao magnética e descrita por um modelo de campo médio baseado no mecanismo de troca indireta, com a possibilidade de inclusão de d
Publicado em: 2007
-
31. Síntese de manganita de lantânio com substituição parcial do La por Sr pelo método citrato
As Manganitas de Lantânio são óxidos cerâmicos semicondutores intrínsecos do tipo p com estrutura perovsquita. A dopagem adequada nos sítios A, nesse material, aumenta a condutividade elétrica tornando-o apropriado para ser utilizado na produção de células a combustível de óxido sólido (solid oxide fuel cell - SOFC), operando em temperaturas pr�
Matéria (Rio de Janeiro). Publicado em: 2007
-
32. Defeitos responsáveis pela isolação de GaAs irradiado com prótons
A Espectroscopia de Transientes de Níveis Profundos (DLTS – Deep Level Transient Spectroscopy) foi, detalhadamente, descrita e analisada. O processo de isolação por implantação em GaAs foi estudado. Sua dependência com a sub-rede, do As ou do Ga, em que o dopante é ativado foi investigada para material tipo-p. Semelhantes doses de implantação de p
Publicado em: 2007
-
33. Nanostructured materials of type IV and III-V doped with Mn. / Materiais nanoestruturados do tipo IV e III-V dopados com Mn
No presente trabalho, investigamos propriedades eletr^onicas, estruturais e de transporte de nanoestruturas do tipo IV e tipo III-V usando c´alculos de primeiros princ´?pios. (I) Como ponto de partida, verificamos sistematicamente a estabilidade do Mn substitucional nas camadas de Ge em uma heteroestrutura de Si/Ge. Estudamos a intera¸c~ao magn´etica Mn-
Publicado em: 2007
-
34. Estudos teóricos sobre discordâncias cristalinas em silício
Neste trabalho investigamos propriedades eletrônicas e estruturais das discordâncias cristalinas que são importantes para o entendimento: (i) dos mecanismos associados à sua mobilidade pela matriz cristalina; (ii) do papel que elas exercem nos processos de espalhamento e recombinação de portadores de cargas em semicondutores. Ambas análises foram feit
Publicado em: 2006
-
35. Nanotubos de Carbono substitucionados com monÃmeros e dÃmeros de titÃnico: uma aproximaÃÃo de primeiros princÃpios
Neste trabalho estudamos, atravÃs de abordagen de primeiros princÃpios, algumas forÂmas de obtermos monÃmeros e dÃmeros de Ti substitucionados em nanotubos de carbono metÃlicos ou semicondutores. Apresentamos possÃveis rotas substitucionais para as imÂpurezas se agregarem à superfÃcie dos nanotubos, observando a relaÃÃo entre o nÃmero de vacÃnc
Publicado em: 2006
-
36. Molecular beam epitaxy of p-type doped layers for the construction of optoelectronic devices / Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos
Durante as últimas três décadas, a epitaxia por feixe molecular se estabeleceu como uma técnica excelente para o crescimento de camadas semicondutoras de alta qualidade, tanto para a construção de dispositivos quanto para a pesquisa básica. No entanto ainda não existe um método universalmente aceito para obter-se camadas dopadas do tipo p nesta téc
Publicado em: 2004