Semicondutores Complementares De Oxido Metalico
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1. Texturização da superfície de silício monocristalino com NH4OH e camada antirrefletora para aplicações em células fotovoltaicas compatíveis com tecnologia CMOS = : Texturing the surface of monocrystalline silicon with NH4OH and anti-reflective coating for applications in photovoltaic cells compatible with CMOS technology / Texturing the surface of monocrystalline silicon with NH4OH and anti-reflective coating for applications in photovoltaic cells compatible with CMOS technology
Este trabalho apresenta o desenvolvimento de células fotovoltaicas de junção n+/p em substratos de Si com processos de fabricação totalmente compatíveis com a tecnologia CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Os processos compatíveis desenvolvidos neste trabalho sao as técnicas: i) de texturização da superfície do Si, com reflexao da supe
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 24/08/2012
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2. A low voltage and high efficiency class D amplifier based on sima-delta modulator designed for hearing-aids applications / Amplificador de audio classe D baseado em modulação sigma-delta destinado a aparelhos auditivos
This thesis presents the design of a firstorder ?-? audioband power amplifier optimized for hearing aid (HA) amplification. The majority of HAs use a 1.1V battery and require very low current consumption to improve battery life. This work made use of amplifiers and comparators based on CMOS inverters because such an inverter, with a 1.1V battery, can operate
Publicado em: 2007
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3. Design of low-voltage CMOS class-AB operational amplifiers / Projeto de amplificadores operacionais CMOS classe-AB operando em baixa tensão de alimentação
This dissertation describes the process of designing rail-to-rail operational amplifiers in CMOS technology. To accomplish this, the author focused on four distinct structures. The four topologies have rail-to-rail input stage with gm-control circuit and Class-AB output stage with quiescent-current control. The specification of three configurations included
Publicado em: 2006
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4. Tecnologia LOCOS utilizando nitretos de silicio depositados por ECR-CVD / LOCOS technology using silicon nitride deposited by ECR-CVD
Silicon nitride (SiNx) insulators for LOCOS applications have been deposited by RP/RTCVD and ECR-CVD at room temperature, at low pressure (5mTorr), with N2 flows of 2.5, 5, 10 and 20sccm with fixed SiH4/Ar flows of 200/20sccm with a microwave power of 1000W on SiO2-Pad/Si and Si substrates. SiNx/Si structures were obtained to analyze the physical characteris
Publicado em: 2005
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5. Corrosão por plasma para tecnologias CMOS e microssistemas
Esta tese apresenta os resultados do desenvolvimento e da otimização de uma tecnologia própria na área de fabricação de dispositivos CMOS e Microssistemas, realizados no Centro de Componentes Semicondutores da UNICAMP, pretendendo desenvolver processos em uma das técnicas mais críticas da microfabricação: corrosão de materiais por plasmas. Neste t
Publicado em: 2003