Pulverizacao Por Magnetron
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1. Condutividade elétrica de filme fino de tantalato de lítio
Resumo A condutividade elétrica de filme fino de tantalato de lítio sobre substrato de silício foi estudada. A estrutura de filme foi preparada por pulverização por magnétron RF. Em geral as características de corrente-tensão foram assimétricas e similares às de um diodo. As características de corrente-tensão tiveram várias seções associadas a
Cerâmica. Publicado em: 2020-09
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2. Análise comparativa das propriedades elétricas de camadas e multicamadas de VOx depositadas por pulverização catódica para aplicação em bolômetros
RESUMO Filmes finos de VOX (camada e multicamadas) foram fabricados por pulverização catódica com rádiofrequência assistida por campo magnético constante para aplicação em detectores de radiação infravermelha do tipo bolômetro. As amostras foram fabricadas sem quebra de vácuo a partir de três alvos: V2O3; VO2 e V2O5. Um sistema de pulverização
Matéria (Rio J.). Publicado em: 20/05/2019
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3. Influência da densidade de potência e da porcentagem de N2 na atmosfera de deposição na dureza e no módulo de Young em filmes de aço inoxidável AISI 316 depositados por pulverização catódica
RESUMO O processo de recobrimento por pulverização catódica é uma técnica amplamente utilizada para produção de revestimentos metálicos e cerâmicos, devido a versatilidade no controle das propriedades com pequenas mudanças nos parâmetros de processo, como densidade de potência aplica ao cátodo magnetron e atmosfera de trabalho. Sendo assim, as p
Matéria (Rio J.). Publicado em: 20/05/2019
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4. EFFECT OF INTERFACE ROUGHNESS AND HEAT-TREATMENT OF THE SUPERCONDUCTING PROPERTIES OF NB/CO MULTILAYERS / RUGOSIDADE DA INTERFACE E EFEITO DE TRATAMENTO TÉRMICO NAS PROPRIEDADES SUPERCONDUTORAS DE MULTICAMADAS NB/CO
Neste trabalho foram preparadas multi-camadas supercondutor(SC)/ ferromagneto(FM) Nb/Co via pulverização catódica (Magnetron Sputtering). O principal objetivo é estudar o efeito de diferentes espessuras da camada ferromagnética (Co) nas propriedades supercondutoras do Nb. Era esperado que, após tratamentos térmicos, as camadas de Co formassem um plano
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 30/04/2012
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5. Obtenção de filmes finos de SiC, SiCN e AlN por magnetron sputtering para aplicação em microsensores
No presente trabalho é reportado o crescimento de filmes finos de carbeto de silício (SiC), carbonitreto de silício (SiCN) e nitreto de alumínio (AlN) pela técnica de pulverização catódica com dois magnetrons (dual magnetron sputtering) visando a aplicação destes materiais na confecção de microsensores. Alvos de silício e carbono foram utilizado
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 13/04/2012
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6. Deposição de filmes finos de oxinitreto de titânio para aplicação em células solares
No cenário atual, com a sociedade em busca de energias alternativas economicamente viáveis, ambientalmente corretas e socialmente sustentáveis, a conversão de energia solar em eletricidade usando células fotoeletroquímicas possui destacada importância, devido ao baixo custo de fabricação e por não produzirem subprodutos poluentes, tóxicos ao homem
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 08/12/2011
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7. Caracterização de Filmes Finos: Caso do Nitreto de Alumínio Depositado Sobre Alumínio / Caracterização de Filmes Finos: Caso do Nitreto de Alumínio Depositado Sobre Alumínio
O nitreto de alumínio (AlN) é um material de alta dureza e elevada condutividade térmica, além disso é resistente a altas temperaturas e ambiente cáustico sendo, portanto, adequado para revestimentos de proteção e com grande potencial de aplicação como cerâmica semicondutora na indústria microeletrônica. Estas propriedades o colocam como materia
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 07/07/2011
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8. Emissão óptica de plasma e desenvolvimento de a-Si:H por sputtering / Emissão óptica de plasma e desenvolvimento de a-Si:H por sputtering
A utilização do silício amorfo (a-Si) como camada emissora nas células fotovoltaicas baseadas em heteroestruturas tem se mostrado com várias vantagens em nível de custo de produção e desempenho se comparadas ao silício cristalino (c-Si). Em filmes de a-Si puro, existe uma grande concentração defeitos, aproximadamente 10 por cm e o hidrogênio exer
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 29/04/2011
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9. Deposição de filmes finos de silício amorfo hidrogenado por sputtering reativo. / Deposition of hydrogenated amorphous silicon thin films by reactive sputtering.
Neste trabalho filmes finos de silício amorfo hidrogenado (a-Si:H) foram depositados no reator magnetron sputtering do laboratório de sistemas integráveis (LSI), a temperaturas menores que 100 °C, pela introdução do gás hidrogênio junto com o de argônio para pulverização de um alvo de silício policristalino. As condições de deposição investig
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 21/10/2010
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10. Utilização da técnica magnetron sputtering para deposição de filmes de DLC incorporados com nanopartículas de prata.
Filmes finos de carbono tipo diamante, (DLC - diamond-like carbon) possuem interessantes propriedades, tais como alta dureza, estabilidade química e baixo coeficiente de atrito que os qualificam para uso em diversas áreas do setor produtivo, incluindo as indústrias automobilística, química, petroquímica e espacial. No caso da indústria espacial, o pri
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 07/10/2010
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11. Crescimento de filmes finos cristalinos de dióxido de titânio por sistemas magnetron sputtering.
Nesse trabalho é reportado o crescimento de filmes finos de dióxido de titânio (TiO2) por duas técnicas assistidas a plasma chamadas magnetron sputtering convencional (MSC) e magnetron sputtering catodo oco (MSCO). O dióxido de titânio foi crescido sobre substratos de silício, variando alguns parâmetros de plasma como, por exemplo, a distância axial
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 26/02/2010
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12. Crescimento de filmes finos cristalinos de dióxido de titânio por sistemas magnetron sputtering.
Nesse trabalho é reportado o crescimento de filmes finos de dióxido de titânio (TiO2) por duas técnicas assistidas a plasma chamadas magnetron sputtering convencional (MSC) e magnetron sputtering catodo oco (MSCO). O dióxido de titânio foi crescido sobre substratos de silício, variando alguns parâmetros de plasma como, por exemplo, a distância axial
Publicado em: 2010