Plasma Microeletronica
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1. Aplicações de corrosão por plasma usando reatores ICP e RIE para tecnologia MEMS / Plasma etching applications using ICP and RIE reactors for MEMS technology
This thesis is based on etching processes applications in cold plasmas (room temperature) using RIE (Reactive Ion Etching) and ICP (Inductively Coupled Plasma), as reactors, applied to specific areas of microelectronics and MEMS devices in semiconductors industries and laboratories. Five applications are presented: Thinning gate CMOS Transistor - conventiona
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 28/08/2012
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2. Development of Lab-On-Chip systems for biophysical analysis. / Desenvolvimento de sistemas Lab-on-a-Chip para análises em biofísica celular.
Este estudo tem por objetivo o desenvolvimento de uma metodologia de fabricação de sistemas Lab On Chip, úteis no estudo de processos celulares, a partir da adaptação de tecnologias próprias da microeletrônica. Foram exploradas todas as etapas envolvidas na fabricação de sistemas Lab On Chip em Poli-Di-Metil-Siloxano e desenvolvidos protocolos de fa
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 08/03/2012
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3. Influência da implantação de íons de argônio por IIIP na formação do silício poroso / Influência da implantação de íons de argônio por IIIP na formação do silício poroso
O silício é o material dominante na área de microeletrônica devido à conveniência de suas propriedades elétricas, mas em detrimento da natureza de sua estrutura eletrônica suas propriedades associadas a foto-emissão são de rendimento muito baixo, fato que descarta sua aplicação em dispositivos optoeletrônicos, como: leds, lasers, displays, e div
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 20/07/2011
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4. Corrosão anisotropica e formação de superficie nanoestruturada de Si utilizando plasma de alta densidade / Si anisotropic etching and nanostructured surface formation using high density plasma
This work explores the implementation, characterization and applications of BOSCH type process for bulk silicon etching (or bulk silicon micromachining) using inductively coupled high density plasma (ICP). This etching process is characterized by its high anisotropy and is performed by alternating etching steps, employing SF6 + Ar gas mixture, and passivatio
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 29/07/2009
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5. Uso de filmes obtido pela polimerização por plasma de tetraetilortossilicato na fabricação de dispositivos miniaturizados. / Use of films obtained by tetraethoxysilane plasma polymerization for production of miniaturized devices.
Os antigos e já bem desenvolvidos dispositivos para tratamentos e/ou análise de amostras têm sido grandemente estudados para novas adaptações, devido à importância de se construir sistemas miniaturizados. A obtenção destes sistemas miniaturizados baseia-se não apenas na construção ou metodologia, mas pode depender de modificação superficial par
Publicado em: 2009
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6. Thermo-mechanical properties of a-SiC:H and SiOxNy thin films and development of MEMS. / Propriedades termo-mecânicas de filmes finos de a-SiC:H e SiOxNy e desenvolvimento de MEMS.
O presente trabalho, realizado junto ao Grupo de Novos Materiais e Dispositivos (GNMD), no Laboratório de Microeletrônica do Departamento de Sistemas Eletrônicos da Escola Politécnica da USP, visou determinar algumas das propriedades termo-mecânicas de materiais depositados pela técnica de plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) que são impo
Publicado em: 2008
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7. Study of Poly(N-vinylcarbazole) etching, obtendet by "living" radical polymerization. / Estudo da corrosão de Poli(N-vinilcarbazol), obtido via polimerização radical vivo.
O principal objetivo deste trabalho é a obtenção de trilhas com largura de dezenas de microns de Poli(N-vinilcarbazol) (PVK). Essas trilhas terão uma possível utilização em conjunto com outros materiais poliméricos como camada condutora na obtenção de um dispositivo semicondutor com material totalmente orgânico. O polímero escolhido foi o PVK, ob
Publicado em: 2008
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8. Filtros interferenciais construídos com dielétricos depositados pela técnica de PECVD. / Dielectric interferential filters deposited by PECVD.
Neste trabalho é apresentada a simulação, fabricação e caracterização de filtros interferenciais empregando películas dielétricas amorfas depositadas pela técnica de deposição a vapor assistida por plasma (PECVD) sobre substratos de silício e de Corning Glass (7059). Os dispositivos ópticos foram construídos usando-se processos padrões de mic
Publicado em: 2008
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9. Development of a microplasma generator using the LTCC technology. / Desenvolvimento de um gerador de microplasma utilizando a tecnologia LTCC.
Microplasmas são plasmas gerados em espaços com dimensões reduzidas, tipicamente, de dezenas a centenas de micrômetros. Apresentam como principal vantagem a possibilidade de se obter plasmas frios com densidades elevadas com baixo consumo de energia em pressões maiores do que em reatores convencionais, reduzindo sensivelmente o custo do equipamento. Um
Publicado em: 2008
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10. Study of the fabrication steps of an electro-thermo-optical device using Mach-Zehnder interferometer. / Estudo das etapas de fabricação de dispositivos eletro-termo-ópticos utilizando o interferômetro Mach-Zehnder.
In this work, a study of the steps to fabricate an electro-thermo-optical device is realized. This device is based in a Mach-Zehnder interferometer (IMZ) where a micro-resistor is placed in one of the IMZ arms. The Mach-Zehnder interferometer was fabricated using Anti-Resonant Reflecting Optical Waveguide (ARROW) where oxinytride and amorphous hydrogenated s
Publicado em: 2008
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11. Estudo e caracterização de filmes de a-Si1-xCx:H obtidos por PECVD visando sua aplicação em MEMS e dispositivos ópticos. / Study and characterization of a-Si1-xCx:H thin films produced by PECVD aiming applications in mems and optical devices.
Neste trabalho foi desenvolvido um estudo sistemático das propriedades estruturais, mecânicas e ópticas de filmes de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-Si1-xCx:H) produzidos pela técnica de deposição química a vapor assistida por plasma (PECVD) a baixas temperaturas (320°C), utilizando silana (SiH4) e metano (CH4) como gases precursores do sil
Publicado em: 2008
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12. Electrical resistivity anisotropy in nanostructured thin films. / Anisotropia de resistividade elétrica em filmes finos nanoestruturados.
O objetivo principal deste trabalho foi desenvolver um dispositivo de filme fino com anisotropia de resistividade elétrica. A idéia foi usar um efeito quântico presente em filmes muito finos de materiais condutores ou semicondutores com morfologia anisotrópica na superfície. A morfologia foi um perfil unidirecional quase-senoidal. As resistividades fora
Publicado em: 2007