Nitreto De Silicio
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13. Deposição de A/N por sputtering não reativo
Neste trabalho depositamos via magnetron sputtering de rádio-frequência não reativo nanofilmes de nitreto de alumínio (AlN). Os nanofilmes de nitreto de alumínio são materiais semicondutores com alta condutividade térmica, elevado ponto de fusão, piezoeletricidade e largo "bandgap"(6;2 eV) com estrutura cristalina wurtzítica hexagonal, pertencentes
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/01/2011
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14. Avaliação das propriedades físico-químicas, mecânicas e tribológicas de filmes finos de VC, Si3N4 e TiN/Ti
Neste trabalho foram estudadas correlações entre estrutura e propriedades de certos revestimentos baseados em filmes finos cerâmicos, mais especificamente carbeto de vanádio, nitreto de silício e nitreto de titânio sobre titânio. As condições e parâmetros de deposição dos filmes, tais como composição e fluxo dos gases reativos, temperatura do s
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2011
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15. Revestimentos protetores de nitreto de silício para aplicações tribológicas extremas
O desempenho de componentes de engenharia está intimamente ligado a fenômenos de superfície, pois esta funciona como a interface entre o componente e o ambiente que o cerca. A escolha de um material com propriedades superficiais adequadas é fundamental para a sua funcionalidade. Neste trabalho as propriedades físico-químicas, estruturais e mecânicas d
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 17/08/2010
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16. Estudo da formação de defeitos em uma monocamada hexagonal de GaN Via DFT.
O estudo de sistemas de baixa dimensionalidade, tais como nanotubos de carbono, fulerenos e o grafeno, cada vez mais têm atraído o interesse científico tanto teórico quanto experimental. Inspirado pela produçãoo experimental do grafeno e de monocamadas de outras espécies químicas, em conjunto com a evidência experimental dos nanotubos de nitreto de
Publicado em: 2010
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17. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico. / Study of SOI multiple gate transistors with gate oxide of high dieletric constant and metal gate electrode.
Este trabalho tem como objetivo investigar o comportamento de transistores SOI de porta tripla com óxido de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta de metal. Inicialmente estudou-se a aplicação dos métodos de extração de parâmetros através de curvas da capacitância, previamente desenvolvidos para estruturas SOI planares, em dispositi
Publicado em: 2010
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18. Development of Porous Silicon Nitride-Based Ceramics / Desenvolvimento de cerâmicas porosas à base de Nitreto de Silício
Cerâmicas porosas à base de nitreto de silício vêm sendo amplamente estudadas por possibilitarem a obtenção de corpos que aliam porosidade e resistência mecânica. Isto se deve, principalmente ao característico mecanismo de reforço in-situ que o material apresenta, obtido com o crescimento anisotrópico de grãos de Si3N4. Neste estudo foram obtidos
Publicado em: 2009
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19. Transistor de efeito de campo (FET) para detecção quimica e bioquimica utilizando dieletrico de porta constituido de camada empilhada SiNx/SiOxNy / Field effect transistors (FET) with dielectric gate made of a stacked layer SiNx/SiOxNy for chemical and biochemical detection
Esta dissertação consiste de duas etapas. Inicialmente são estudados filmes de nitreto de silício depositados por LPCVD, Low Pressure Chemical Vapor Deposition, utilizando-se diferentes relações de concentração de gases reagentes, [SiH2Cl2]/[NH3], e utilizando-se como substrato lâminas de silício tipo p, com e sem camada almofada de oxinitreto de s
Publicado em: 2009
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20. Estudo da oxidação de cerâmicas à base de carbeto de silício sinterizado via fase líquida utilizando nitreto de alumínio e óxido de ítrio como aditivos
Materiais cerâmicos à base de carbeto de silício foram desenvolvidos através de sinterização via fase líquida usando AlN-Y2O3 como sistema de aditivos. Duas composições foram desenvolvidas utilizando pós de SiC e diferentes teores de AlN e Y2O3. Os pós foram misturados e homogeneizados, secados e subseqüentemente desaglomerados. As misturas do p�
Cerâmica. Publicado em: 2008-06
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21. Ultra-low friction coefficient between Si3N4-Al2O3 in water. / Ultra-baixo coeficiente de atrito entre o par cerâmico Si3N4-Al2O3 em água.
Neste trabalho, foi investigado o comportamento tribológico dos pares cerâmicos aluminanitreto de silício no deslizamento em água e em uma suspensão de sílica coloidal em água (hidrosol). O objetivo foi verificar a possibilidade de atingir um coeficiente de atrito da ordem de unidades de milésimos, aqui chamado de ultra-baixo coeficiente de atrito (U
Publicado em: 2008
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22. Determination of trace elements in aluminium nitride and silcon nitride using direct solid sampling grafite furnace atomic absorption spectrometry / Determinação de elementos-traço em amostras de nitreto de alumínio e nitreto de silício por análise direta de amostras sólidas em espectrometria de absorção atômica com forno de grafite
Neste trabalho, foram desenvolvidos métodos para a determinação de Cr, Cu, Fe, K, Mn, Sb e Zn em AlN e Si3N4, usando espectrometria de absorção atômica com forno de grafite e análise direta de amostras sólidas. Devido à vaporização da matriz de AlN durante a etapa de atomização, diferentes estratégias para evitar as interferências causadas pel
Publicado em: 2008
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23. Caracterização estrutural do nitreto de ferro silício e avaliação de sua aplicação como matéria-prima para massa de tamponamento
O nitreto de ferro silício é um tipo de compósito obtido através da nitretação do ferro silício, à temperatura e pressão controladas. Ainda pouco estudado este material possui algumas aplicações nas indústrias química, cerâmica e siderúrgica. Neste trabalho enfocou-se o seu uso como uma das matériasprimas de massas de tamponamento para furos
Publicado em: 2007
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24. Análise por feixes de íons de filmes finos dielétricos depositados por sputtering reativo e crescidos termicamente
Esta tese trata de filmes finos de materiais dielétricos depositados por sputtering reativo e crescidos termicamente que são analisados por métodos de feixes de íons. Como introdução aos nossos trabalhos, são abordados os princípios da deposição por sputtering com corrente contínua, com rádio-freqüências e em atmosferas reativas. Além disso, s
Publicado em: 2007