Microeletronica
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25. CFT-tool : ferramenta configurável para aplicação de técnicas de detecção de falhas em processadores por software / CFT-tool: configurable tool to application of faults detection techniques in processors by software
Este trabalho apresenta uma ferramenta configurável, denominada de CFT-tool, capaz de aplicar automaticamente técnicas de detecção de erros em software com o objetivo de proteger processadores com diferentes arquiteturas e organizações contra falhas transientes no hardware. As técnicas baseadas em redundância e comparação são aplicadas pela CFT-to
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2012
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26. Double-gate nanotransistors in silicon-on-insulator : simulation of sub-20 nm FinFETs / Nano-transistores de porta dupla em silício sobre isolante simulação de FinFETs sub-20nm
Esta Tese apresenta os resultados da simulação do transporte eletrônico em três dimensões (3D) no nano dispositivo eletrônico conhecido como ¿SOI-FinFET¿. Este dispositivo é um transistor MOS em tecnologia Silício sobre Isolante ¿ ¿Silicon-on- Insulator¿, SOI ¿ com porta dupla e cujo canal e zonas de fonte e dreno são realizadas em uma estrutu
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2012
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27. Implementation and analysis of algorithms for motion estimation onto parallels processors type GPU / Implementação e análise de algoritmos para estimação de movimento em processadores paralelos tipo GPU (Graphics Processing Units)
A demanda por aplicações que processam vídeos digitais têm obtido atenção na indústria e na academia. Considerando a manipulação de um elevado volume de dados em vídeos de alta resolução, a compressão de vídeo é uma ferramenta fundamental para reduzir a quantidade de informações de modo a manter a qualidade viabilizando a respectiva transmis
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2012
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28. Uma proposta de arquitetura extensível para micro medição em Smart Appliances
O sistema de energia atual passou por poucas alterações desde sua concepção original, há mais de 100 anos. No entanto, a crescente complexidade da infraestrutura e da demanda global por energia vem criando diversos desafios que a sua constituição original não previa, culminando em problemas como apagões e outras falhas no seu fornecimento. Além dis
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2012
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29. Influência da implantação de íons de argônio por IIIP na formação do silício poroso / Influência da implantação de íons de argônio por IIIP na formação do silício poroso
O silício é o material dominante na área de microeletrônica devido à conveniência de suas propriedades elétricas, mas em detrimento da natureza de sua estrutura eletrônica suas propriedades associadas a foto-emissão são de rendimento muito baixo, fato que descarta sua aplicação em dispositivos optoeletrônicos, como: leds, lasers, displays, e div
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 20/07/2011
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30. Caracterização de Filmes Finos: Caso do Nitreto de Alumínio Depositado Sobre Alumínio / Caracterização de Filmes Finos: Caso do Nitreto de Alumínio Depositado Sobre Alumínio
O nitreto de alumínio (AlN) é um material de alta dureza e elevada condutividade térmica, além disso é resistente a altas temperaturas e ambiente cáustico sendo, portanto, adequado para revestimentos de proteção e com grande potencial de aplicação como cerâmica semicondutora na indústria microeletrônica. Estas propriedades o colocam como materia
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 07/07/2011
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31. Desenvolvimento de processos de eletrodos de porta (TaN e TiN) para dispositivos MOS / Process development of gate electrodes (TiN and TaN) for MOS devices
Tantalum nitride (TaN) and titanium nitride (TiN) films have been obtained by DC sputtering, using different nitrogen flow (10 - 80 sccm) and power (500 - 1500 W), in a nitrogen (N2)/argon (Ar) ambient on Si (100) substrates. The N2/Ar ratio in gas mixture and power effects on structural and electrical properties of TaN and TiN films were investigated by sca
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 01/07/2011
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32. Navegação terrestre usando unidade de medição inercial de baixo desempenho e fusão sensorial com filtro de Kalman adaptativo suavizado. / Terrestrial navigation using low-grade inertial measurement unit and sensor fusion with smoothed adaptive Kalman filter.
This work presents the development of the mathematical models and the algorithms of a sensor fusion system for terrestrial navigation using a low-grade inertial measurement unit (IMU) and the Extended Kalman Filter. The models were developed on the basis of the strapdown inertial navigation systems (SINS). Low-grade designates an IMU that is not able to perf
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 01/06/2011
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33. Desenvolvimento de um software para simulação atomística de processos de microfabricação baseado em autômatos celulares. / Development of a atomistic microfabrication simulation software based on celullar automata.
O presente trabalho teve como foco o desenvolvimento de um software para a simulação de processos de microfabricação em substrato e de microfabricação em superfície baseado em autômatos celulares, o simMEMS. Além disso, visando a futura incorporação de ferramentas para análise das estruturas geradas pelo programa, um módulo com funcionalidades b
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 30/05/2011
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34. Filmes sensíveis a pressão pela técnica de fotoluminescência. / Pressure sensitive films based on photoluminescence technique.
O presente projeto tem como objetivo contribuir para o desenvolvimento de dispositivos para monitoração de pressão dinâmica do ar. Para isso, foram produzidos filmes sensíveis a pressão baseados na detecção de concentração de oxigênio por meio de processos de emissão fotoluminescente das moléculas de Azul de Metileno (MB) e Platina Octaetilporfi
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 20/05/2011
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35. Deposição de A/N por sputtering não reativo
Neste trabalho depositamos via magnetron sputtering de rádio-frequência não reativo nanofilmes de nitreto de alumínio (AlN). Os nanofilmes de nitreto de alumínio são materiais semicondutores com alta condutividade térmica, elevado ponto de fusão, piezoeletricidade e largo "bandgap"(6;2 eV) com estrutura cristalina wurtzítica hexagonal, pertencentes
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/01/2011
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36. Device degradation and resilient computing
Publicado em: 2011