Lasers Semicondutores
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13. Circuito equivalente e extração dos parâmetros em função da corrente de amplificadores ópticos a semicondutor / Equivalente circuit and parameters extraction as function of the bias current of semiconductor optical amplifiers
Apresenta-se a modelagem de um circuito elétrico equivalente e a extração de parâmetros de amplificadores ópticos a semicondutor (SOA), a partir de um modelo para lasers semicondutores. Foi realizado um estudo do comportamento da impedância de um SOA em chip, sem encapsulamento, em função da corrente de polarização e em ampla faixa de frequência .
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 13/08/2010
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14. Perfil de resistÃncia a antibiÃticos e a terapia fotodinÃmica antimicrobiana exibida por isolados ambientais, orais e extra-orais de Serratia marcescens / Analysis of resistance profile of action of antibiotics and antimicrobial photodynamic therapy isolated in environmental, and extra-oral oral Serratia marcescens
Serratia marcescens se encontra largamente distribuÃda na natureza, mas tem emergido nos Ãltimos anos como um importante patÃgeno nosocomial resistente a diversos antimicrobianos. Este estudo teve como objetivo verificar a susceptibilidade de isolados ambientais, orais e extra-orais de Serratia marcescens a diferentes antibiÃticos e avaliar a terapia fot
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 18/03/2010
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15. Dinâmica em freqüência de lasers semicondutores sob realimentação ótica ortogonal e aplicação: chaveamento todo-ótico em frequência
Estudamos a dinâmica em frequência da radiação emitida por lasers semicondutores submetidos a diferentes condições de realimentação ótica e demonstramos como é possível o controle da frequência de emissão pelo uso das diferentes configurações exploradas. No primeiro sistema estudado, um laser semicondutor é realimentado por luz com polarizaç
Publicado em: 2010
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16. Ressonadores de microdiscos com região ativa nanoestruturada bombeados por injeção eletrônica / Microdisk resonators with nanostructured active region pumped by electronic injection
This doctorate¿s thesis presents the growth of InAs quantum dots directly on high bandgap InGaAsP (?g=1420 nm) barriers to be used as the active region of microdisk resonators with emission in the C-band (1520¿1570 nm). Based on photoluminescence and atomic force microscopy experiments, the occurrence of inter-diffusion on the InAs/InGaAsP interface is cal
Publicado em: 2010
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17. Microlasers de cavidades estadio aplicados a detecção nanovolumetrica / Stadium cavities microlasers applied to the nanovolumetric detection
This work presents the development of resonant cavities based on chaotic billiard geometries built with semiconductor active optical medium for sensing applications. In spite of the classically chaotic behavior of the stadium, the quantum description of the problem in the semi-classical limit shows unexpected accumulations of the density of probability on cl
Publicado em: 2010
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18. Complicações na dacriocistorrinostomia transcanalicular com laser diodo: complications
OBJETIVO: Analisar as complicações da aplicação do laser de diodo para o tratamento da obstrução nasolacrimal adquirida. MÉTODOS: Foram realizados 44 procedimentos (dacriocistorrinostomia transcanalicular com laser de diodo com intubação bicanalicular de silicone sob anestesia local) entre fevereiro de 2002 a novembro de 2007 em 41 pacientes (3 bila
Arquivos Brasileiros de Oftalmologia. Publicado em: 2009-08
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19. Como simular um laser de pontos quânticos semicondutores
Laser de pontos quânticos semicondutores é uma recente classe de fontes laser que se apresenta como alternativa aos lasers de poços quânticos. Durante o desenvolvimento de fontes laser um passo importante consiste na modelagem dos dispositivos a serem realizados, e isto requer o uso de bons métodos, capazes de incorporar vários fenômenos físicos pres
Revista Brasileira de Ensino de Física. Publicado em: 2009-06
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20. Development of InGaAsP/InP double-heterostrucuture semiconductor laser with distributed feedback / Desenvolvimento de laser semicondutor de dupla heteroestrutura InGaAsP/InP com realimentação distribuida
O desenvolvimento de um laser de semicondutor envolve várias etapas, e cada uma delas requer conhecimentos e técnicas específicas. O objetivo deste trabalho foi desenvolver as várias técnicas necessárias para o projeto, fabricação e caracterização de um laser de semicondutor monomodo, com realimentação distribuída, operando em 1.5 µm (3ª. gera
Publicado em: 2009
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21. Análise das propriedades óticas do poli( 3-metiltiofeno) (P3MT) sintetizado eletroquimicamente
Os semicondutores orgânicos possuem características físicas bastante parecidas com as dos semicondutores inorgânicos, podendo ser utilizados na fabricação de LEDs, células fotovoltaicas e lasers. Os polímeros semicondutores apresentam as seguintes vantagens sobre os semicondutores inorgânicos: (a) maior flexibilidade e maleabilidade; (b) a possibili
Publicado em: 2009
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22. O uso de laser diodo de 830nm em cicatrizes pós-cirúrgicas de hérnia inguinal. Um estudo clínico / The use of 830nm diode laser in post-surgical scarring of inguinal hernia. A clinical study.
Background: Low Level Laser Therapy (LLLT) has been shown to be beneficial in the tissue repair process as shown in work done with tissue culture and animal experiments. However, there is a scarcity of work done with regard to post-surgical scarring of incisions in humans using infrared, 830nm, GaAlAs laser. The purpose of this study was to investigate the e
Publicado em: 2009
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23. Amplificadores opticos de semicondutores com multi-contatos para controle da potencia optica de saturação / Semiconductor optical amplifiers with multi-contacts for optical power saturation control
A crescente demanda do uso de sistemas de comunicação óptica, seja pelo aumento do número de usuários ou pela quantidade de informação enviada, requer um aumento substancial na necessidade de desenvolvimento de novos sistemas e componentes. Em termos de componentes aplicados à comunicação óptica, aqueles utilizados para a amplificação óptica s�
Publicado em: 2009
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24. Isolação elétrica por implantação iônica em GaAs e AlGaAs
O processo de isolação elétrica por implantação de prótons é estudado para os casos do semicondutor GaAs e de estruturas DBR - Distributed Bragg Reflectors - de AlGaAs. A obtenção da energia crítica de implantação em camadas DBR de dispositivos VCSELs, Vertical Cavity Surface Emmiting Lasers, é exemplificada. Medidas da evolução da resistênci
Publicado em: 2009