Indium Phosphide
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1. Influence of photobiomodulation therapy on root development of rat molars with open apex and pulp necrosis
Abstract This study aimed to evaluate the role of photobiomodulation (PBM) in apexification and apexogenesis of necrotic rat molars with an open apex. Rat molars were exposed to the oral environment for 3 weeks. Canals were rinsed with 2.5% NaOCl and 17% EDTA, filled with antibiotic paste and sealed. After 7 days, canals were rinsed and divided into six grou
Braz. oral res.. Publicado em: 26/08/2019
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2. Effect of laser phototherapy in the prevention and treatment of chemo-induced mucositis in hamsters
The aim of this study was to investigate the effect of laser phototherapy (LPT) in the prevention and/or treatment of oral mucositis induced by 5-fluorouracil (5-FU; Eurofarma, São Paulo, Brazil) in hamsters. Ninety-six hamsters were divided into four groups (n = 24): Control (no treatment); Preventive [LPT from day (D) D-5 to D+5]; Therapeutic (LPT from D+
Braz. oral res.. Publicado em: 11/06/2013
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3. Efeito de interface nas propriedades ópticas de pontos quânticos de InP/GaAs / Interface effect on the optical properties of InP/GaAs quantum dots
We studied the effect of different interface conditions on the optical properties of InP/GaAs self-assembled quantum dots grown by chemical beam epitaxy in the Stranskii-Krastanov mode. InP/GaAs quantum dots is expected to present type II band alignment, and only electrons are confined, whereas the holes are localized in the GaAs layers around the quantum do
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/08/2012
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4. Nanofios semicondutores : síntese e processos de formação / Semiconductor nanowires : synthesis and formation process
O estudo em nanofios semicondutores é crescente, seja pelo grande potencial de aplicações previsto para eles, seja para entender a dinâmica de formação dessas nanoestruturas. Entretanto, estes dois elementos estão ligados, pois é necessário entender o processo de síntese dos nanofios semicondutores para utilizar todo o seu potencial para aplicaçõ
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 28/02/2012
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5. FIRST PRINCIPLES STUDY OF INDIUM ARSENIDE AND INDIUM PHOSPHIDE NANOWIRES / ESTUDO DE PRIMEIROS PRINCÍPIOS DE NANOFIOS EM ARSENETO DE ÍNDIO E FOSFETO DE ÍNDIO
Neste trabalho realizamos um estudo teórico, baseado na teoria do funcional da densidade, em nanofios de InAs e InP e em heteroestruturas de nanofios InAs/InP. Inicialmente estudamos a variação das propriedades estruturais, eletrônicas e mecânicas com o diâmetro em nanofios de InAs e InP, e as possíveis alterações nas propriedades eletrônicas deste
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 29/07/2011
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6. ESTUDO DAS PROPRIEDADES ELETRÔNICAS E ESTRUTURAIS EM NANOTUBOS DE FOSFETO DE ÍNDIO / STUDY OF ELECTRONIC AND STRUCTURAL PROPERTIES IN INDIUM PHOSPHIDE NANOTUBES
No presente trabalho, desenvolvemos um estudo da estabilidade e das propriedades eletrônicas dos nanotubos de fosfeto de índio (InP). Para o estudo utilizamos cálculos de primeiros princıpios, fundamentados na teoria do funcional da densidade (DFT), com a aproximação da densidade local (LDA) para o termo de troca-correlação. O programa utilizado
Publicado em: 2009
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7. Optical properties of semiconductor type II quantum dots / Propriedades opticas de pontos quanticos semicondutores tipo II
No presente trabalho apresentamos um estudo da luminescência de érbio em nanocristais de silício (nc-Si) e nanofios de óxido de zinco (nw-ZnO). Os nanocristais de silício com érbio são obtidos através do tratamento térmico de filmes finos amorfos de sub-óxidos de silício (SiOx) preparados por rf-sputtering, variando a concentração de Oxigênio e
Publicado em: 2009
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8. Hall Effect measurements on p-n-p InP structures
The electrical properties of p-type layers of indium phosphide (InP), formed by the diffusion of zinc into n-type material, are studied by Hall Effect measurements. A wide range of diffusion conditions are used and both homogeneously doped specimens and those containing a zinc atom concentration gradient are produced. A non-correspondence of atom and carrier
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2008-03
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9. Estudo por dinâmica molecular de deformações mecânicas no cobre e nos semicondutores SiC e InP
Nesta tese, propusemos um método alternativo de caracterização estrutural baseado no cálculo de um parâmetro único que depende da vizinhança atômica em comum. Fizemos uma comparação com outros dois métodos bem conhecidos na literatura, a análise de vizinhos em comum (CNA) e o parâmetro centrossimétrico (CSP), as vantagens do método desenvolvid
Publicado em: 2008
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10. Crescimento e caracterização estrutural de nanoestruturas semicondutoras baseadas na liga InP
Neste trabalho estudamos os mecanismos de crescimento durante a epitaxia de estruturas III-V baseadas na liga InP. Em particular, o principal objetivo foi correlacionar os mecanismos cinéticos durante a nucleação de nanoestruturas auto-formadas com as propriedades estruturais da camada que serve de substrato. Todas as amostras foram crescidas usando um si
Publicado em: 2005
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11. Chaves eletricas a semicondutor controladas por pulsos laser de picosegundos
In this work we have studied the construction of ultra-fast electrical switches activated by ultrashort laser pulses. Such devices, built based on high-resistivity semiconductors, transform the energy of ultra short light pulses in electrical signals. These signals have rise time and pulse width of the order of pico-seconds. Parameters concerning the constru
Publicado em: 1984