Heterostructures
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1. Evaluation of the Structural Integrity of Layered Double Hydroxides and Mesoporous Silica During the Preparation of Heterostructures
Heterostructures constructed with mesoporous silica and layered double hydroxides are interesting for catalytic and drug delivery applications. Different arrangements between these phases are possible. In this study, we prepared heterostructures by embedding layered double hydroxides phases [M4Al2(OH)12](CO3) (M = Mg2+ or Zn2+) within the MCM41 mesoporous si
Journal of the Brazilian Chemical Society. Publicado em: 2022
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2. Semicondutores heteroestruturados: uma abordagem sobre os principais desafios para a obtenção e aplicação em processos fotoquímicos ambientais e energéticos
Heterostructured semiconductors are materials with unique features formed by combination of two or more semiconductors with suitable interface between them. The study of the heterostructures aim the development of physico-chemical and photocatalytic properties higher than their isolated phases, which makes it possible to obtain higher efficiency and lower co
Quím. Nova. Publicado em: 15/08/2019
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3. Estudio Ab-initio de propiedades estructurales, elásticas y electrónicas de nanohilos core/shell
ABSTRACT This Zinc oxide (ZnO) is widely used in different electronic devices due to its thermal, electronic, and piro-piezoelectric properties. Some of these properties are noticeable improvement at the nanoscale, specially when ZnO together with other material create heterostructures. Recently, core/shell nanowires have been synthesized in order to raise t
Matéria (Rio J.). Publicado em: 19/07/2018
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4. Theoretical study of c-GaN/GaAs single heterojunction solar cells
ABSTRACT In this work a theoretical study of electrical behavior for a c-GaN/GaAs heterostructure as a photovoltaic device through a two-dimensional (2D) finite element numerical simulation is presented for a first time. I-V curves and electrical parameters like short circuit current (Isc), open circuit voltage (Voc), fill factor (FF) and efficiency (η) wer
Matéria (Rio J.). Publicado em: 02/10/2017
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5. Efeito de interface nas propriedades ópticas de pontos quânticos de InP/GaAs / Interface effect on the optical properties of InP/GaAs quantum dots
We studied the effect of different interface conditions on the optical properties of InP/GaAs self-assembled quantum dots grown by chemical beam epitaxy in the Stranskii-Krastanov mode. InP/GaAs quantum dots is expected to present type II band alignment, and only electrons are confined, whereas the holes are localized in the GaAs layers around the quantum do
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/08/2012
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6. Simulação da dinâmica do estado excitado em semicondutores orgânicos / Simulation of the excited state dynamics in organic semiconductors
In the present work, the Monte Carlo method and the direct numerical integration of the Master Equation were employed to simulate the excitation spectral diffusion process in light emitting polymeric systems. The methodology employed a competition among the internal intra-molecular relaxation, the inter-molecular incoherent energy transfer via Förster mecha
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 25/04/2012
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7. AnÃis quÃnticos semicondutores ideais / Ideal semiconductor quantum rings
Nos Ãltimos anos, numerosos avanÃos alcanÃados nas tÃcnicas de crescimento de materiais deram origem à formaÃÃo de vÃrias heteroestruturas de semicondutores, onde se podem confinar elÃtrons e buracos em uma ou mais direÃÃes, atravÃs de barreiras de potencial. Muitos pesquisadores recentemente tÃm estudado estruturas de baixas dimensionalidades,
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 08/08/2011
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8. FIRST PRINCIPLES STUDY OF INDIUM ARSENIDE AND INDIUM PHOSPHIDE NANOWIRES / ESTUDO DE PRIMEIROS PRINCÍPIOS DE NANOFIOS EM ARSENETO DE ÍNDIO E FOSFETO DE ÍNDIO
Neste trabalho realizamos um estudo teórico, baseado na teoria do funcional da densidade, em nanofios de InAs e InP e em heteroestruturas de nanofios InAs/InP. Inicialmente estudamos a variação das propriedades estruturais, eletrônicas e mecânicas com o diâmetro em nanofios de InAs e InP, e as possíveis alterações nas propriedades eletrônicas deste
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 29/07/2011
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9. Transições ópticas em heteroestruturas semicondutoras Zincblende com duas sub-bandas / Optical transitions in Zincblende semiconductors heterostructures with two sub-bands
Apresento neste trabalho uma derivação alternativa da hamiltoniana efetiva para um elétron na banda de condução de uma heteroestrutura semicondutora de rede Zincblende. Partindo do modelo de Kane 8 × 8 e da aproximação das funções envelope, esta hamiltoniana efetiva foi obtida com a linearização dos denominadores (dependentes das autoenergias) pr
Publicado em: 2011
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10. Estudo de pontos quânticos auto-organizados de InAs por fotoluminescência
Semiconductor structures with high confinement degree, such as quantum wells, quantum wires and quantum dots, have been of great interest, both from the technological point of view and for basic research. Self-Assembled Quantum Dots (SAQD`s) appear spontaneously, as a consequence of the lattice mismatch of the material deposited in relation to the substrate,
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 26/02/2010
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11. The role of nonequilibrium thermo-mechanical statistics in modern technologies and industrial processes: an overview
The nowadays notable development of all the modern technology, fundamental for the progress and well being of world society, imposes a great deal of stress in the realm of basic Physics, more precisely on Thermo-Statistics. We do face situations in electronics and optoelectronics involving physical-chemical systems far-removed-from equilibrium, where ultrafa
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2010-03
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12. Estudo estrutural de nanossistemas semicondudores e semicondutores implantados por difração de raios-X de n-feixes / Structural study of semiconductors nanosystems and implanted semiconductors by means of n-beams X-ray diffraction
In this paper, X-ray multiple diffraction (MD) associated with the advantages of synchrotron radiation appears as a high-resolution microprobe and it is used to obtain relevant contributions to the study of structural properties of semiconductor materials, as they present themselves nanosystems epitaxial or implanted with ions. The study and detection of neg
Publicado em: 2010