Fotocondutividade
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1. Deposição de filmes finos de silício amorfo hidrogenado por sputtering reativo. / Deposition of hydrogenated amorphous silicon thin films by reactive sputtering.
Neste trabalho filmes finos de silício amorfo hidrogenado (a-Si:H) foram depositados no reator magnetron sputtering do laboratório de sistemas integráveis (LSI), a temperaturas menores que 100 °C, pela introdução do gás hidrogênio junto com o de argônio para pulverização de um alvo de silício policristalino. As condições de deposição investig
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 21/10/2010
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2. New photorefractive materials : optical and electrical properties / Novos materiais fotorrefrativos : propriedades opticas e eletricas
Foi realizado o estudo de novos materiais fotorrefrativos através das técnicas Fotocon-dutividade Resolvida por Comprimento de Onda e Speckle-foto-fem. Dentre esses materiais encontram-se titanosillenitas com diferentes dopantes e os materiais fotorrefrativos do grupo II-VI como o telureto de c´admio (CdTe) e telureto de zinco (ZnTe), também dopados, e c
Publicado em: 2009
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3. Desenvolvimento de emissores de radiação na faixa de Terahertz baseados em compostos III-V fotocondutivos para espectroscopia e formação de imagens / Development of Terahertz radiation emitters based on photoconductive III-V compounds for spectroscopy and imaging
A radiação eletromagnética em Terahertz (THz) situa-se na faixa de 1012 Hz, com comprimentos de onda associados variando de 30 µm até 3 mm. É possível então usar esta radiação para investigar propriedades físicas de materiais que requerem uma definição desta ordem. Além de aplicações na espectroscopia, estes comprimentos de onda são capazes
Publicado em: 2009
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4. Efeito da fotocondução em diodos com camada ativa de derivados de poli(p-fenileno vinileno) (PPV) / Photoconduction effect in single layer diodes based on PPV derivatives.
This thesis is a study about photoconductivity in polymeric materials, in particular diodes with single-layer sandwich structure derivates of poly(para-phenylene vinylene) (PPV): OC10-PPV, SY and MEH-PPV. Different metallic electrodes were deposited on the same polymeric layer. Therefore, it was necessary to realize the devices fabrication process step by st
Publicado em: 2008
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5. ESTUDO DE FASES E CRESCIMENTO DE MONOCRISTAIS NO SISTEMA Bi2O3 - TiO2 - ZrO2 / Crystal growth; Photorefractive crystals; solid state synthesis; Bi2O3 - TiO2 - ZrO2
Neste trabalho foi realizado um estudo sistemático das condições de preparação e estabilidade de fases no sistema Bi2O3-ZrO2, a solubilidade do íon Zr4+ no Bi12TiO20 (BTO) foi investigada e cristais de BTO dopados com Zr4+ (BTO:Zr) foram crescidos e caracterizados opticamente. Verificou-se que uma fase tetragonal é formada no amplo intervalo de compos
Publicado em: 2008
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6. Optical and electrical characterization of photoconductive and photorefractive materials / Caracterização optica e eletrica de materiais fotocondutores e fotorrefrativos
The objective of this work was the characterization of photoconductive and photo-refractive materials using optical and electrical techniques. The most important property of these materials is photoconductivity so that we concentrated in the measurement of this quantity. One of the most studied materials in our laboratory, Bi12TiO20, is poorly photoconductiv
Publicado em: 2007
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7. Caracterização elétrica de células solares de tripla tecnologia de matérias e sensores / Electrical characterization of triple junction solar cells - GAINP/GAAS/GE
Triple junction solar cells use a combination of semiconductor materials to more efficiently capture photons in the range of 300nm to 1800nm of sun solar spectrum. Minimum average conversion efficiency AM0 for first generation TJ solar cell for space use is 26,0%. The GaInP, GaAs and Ge were select because of their collective ability to match bandgap energie
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 24/03/2006
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8. Caracterização elétrica de células solares de tripla tecnologia de matérias e sensores / Electrical characterization of triple junction solar cells - GAINP/GAAS/GE
Células solares tripla junção (TJ) utilizam uma combinação de materiais semicondutores para capturar mais eficientemente os fótons na faixa de 300nm a 1800nm do espectro solar. A eficiência mínima de conversão AM0 para uma célula de TJ de primeira geração para uso espacial é de 26%. O GaInP, GaAs e Ge foram escolhidos devido a capacidade coletiv
Publicado em: 2006
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9. InjeÃÃo e transporte de portadores em dispositivos optoeletrÃnicos orgÃnicos e inorgÃnicos / Injection and transport of charge carriers in organic and inorganic optoelectronic devices
Os semicondutores orgÃnicos surgem como alternativa promissora aos materiais inorgÃnicos na tecnologia de fabricaÃÃo de monitores de vÃdeo, viabilizando aplicaÃÃes inovadoras. Vantagens tais como leveza, flexibilidade mecÃnica, variedade de cores e fÃcil processabilidade para produÃÃo em larga escala fizeram com que as telas orgÃnicas conquistass
Publicado em: 2005
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10. Caracterização de cristais fotorrefrativos e sua aplicação a medida de vribrações
Neste trabalho mostramos o uso de técnicas ópticas não-holográficas e holográficas para a caracterização de materiais fotorrefrativos com ênfase no cristal Bi12TiO20 da familia das sillenitas e estudamos o uso destes materiais para a medida de vibrações mecânicas. Em termos de estudo de materiais, realizamos um trabalho inédito de caracterizaçã
Publicado em: 2003
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11. Fotocondutividade dependente da temperatura em filmes finos de germanio amorfo hidrogenado dopado com galio e arsenio
Nesta tese apresentamos um estudo da dependência da fotocondutividade, I P C, com a temperatura, T, em filmes finos de a-Ge:H intrínsecos e dopados tipo p, com gálio e tipo n, com arsênio, crescidas por rf-sputtering no Laboratório de Pesquisas Fotovoltáicas do IFGW/Unicamp. Foram realizados quatro tipos de medidas nas amostras: (i) I P C em função d
Publicado em: 2001
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12. Uma contribuição para caracterização de níveis de energia de impurezas em AlxGa1-xAs tipo n. / A contribution of characterization impurities bandgap in AlxGa1-xAs type n.
Neste trabalho apresentamos medidas de fotocondutividade, decaimento da fotocondutividade persistente, resistência em função da temperatura em amostras de AlxGa1-xAs de gap direto e indireto, dopadas com Si. Comparamos as teorias de Brooks-Herring e Takimoto, ambas referentes ao espalhamento por impurezas ionizadas, e sua aplicabilidade para nosso materia
Publicado em: 2000