Filmes Finos Propriedades Eletricas
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13. Desenvolvimento de sensores piezoresistivos de SiC visando aplicação em sistemas aeroespaciais.
Esta tese avalia o potencial de filmes de carbeto de silício (SiC) produzidos por duas técnicas assistidas por plasma, PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) e RF magnetron sputtering, para o desenvolvimento de sensores piezoresistivos. Os trabalhos desenvolvidos abrangeram todas as etapas de síntese e caracterização dos filmes, bem como o es
Publicado em: 2009
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14. Propriedades físico-químicas de estruturas dielétrico/SiC e da camada interfacial formada
Nesta Dissertação, foram investigadas propriedades físico-químicas de estruturas dielétrico/SiC e das camadas interfaciais formadas. Utilizando análises por reação nuclear, verificou-se que a presença de uma camada interfacial de oxicarbetos de silício, gerados durante a oxidação térmica do SiC, e não removidos através de ataque químico por v
Publicado em: 2009
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15. Estudo e aplicação das propriedades elétricas, térmicas e mecânicas de materiais amorfos piezoresistivos em transdutores de pressão. / Study and application of eletrical properties, thermal and mechanical of amorphus matherials in piezoresistive.
This tesis presents the piezoresistivity theoretical and experimental study for two materials with amorphous structure. The first material is the Diamond Like Carbon and the other is the Indium Tin Oxide. The work includes the bibliographic study, theoretical and practical design of structures for testing individual and piezoresistors configured in bridge, i
Publicado em: 2009
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16. Propriedades físico-químicas e características elétricas de estruturas dielétrico/SiC
Na presente Tese, foi investigado o efeito de tratamentos térmicos reativos nas propriedades físico-químicas e, em alguns casos, nas propriedades elétricas de filmes de SiO2 crescidos termicamente sobre carbeto de silício. Foram abordados os principais processos que visam melhorar as propriedades elétricas da interface SiO2/SiC: reoxidação em O2 e H2
Publicado em: 2008
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17. Estudo das propriedades ópticas, estruturais e elétricas do compósito MEH_PPV/ SWNT
O presente trabalho consiste no estudo e optimização das propriedades ópticas e elétricas de um material compósito de polímero conjugado/ nanotubo de carbono com a finalidade de aplicação em dispositivos eletro-ópticos, especialmente células fotovoltaicas. Os materiais escolhidos foram o polímero conjugado semicondutor poli (2-metóxi-5-(2- etilhe
Publicado em: 2008
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18. Isolantes de porta com altas constantes dieletricas (High K) para tecnologia MOS / High K gate insulators for MOS technology
High k insulators for the next generation (sub-32 nm CMOS (complementary metaloxide-semiconductor) technology), such as titanium oxide (TiOx), titanium oxynitride (TiOxNy), titanium-aluminum oxynitride (AlxTiwOyNz), titanium-aluminum nitride (AlxTiwNz) and titanium-aluminum oxide (AlxTiwOy), have been obtained by Ti or Ti/Al e-beam evaporation, with addition
Publicado em: 2008
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19. Fabricatins and Characterization of lead iodide films and mercury iodide crystals. / Fabricação e caracterização de filmes finos de iodeto de chumbo e cristais de iodeto de mercúrio
Nos últimos anos, acentuou-se o interesse em materiais semicondutores com alto número atômico e alto gap de energia para aplicações na detecção de radiação ionizante à temperatura ambiente, usando o método direto de detecção. Este trabalho apresentara as características de dois materiais semicondutores na forma de filme para o iodeto de chumbo
Publicado em: 2008
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20. Preparação e caracterização de filmes finos de cobalto em silício tipo p
Neste trabalho serão discutidos os processos experimentais empregados para a sistematização da preparação e caracterização de diodos de barreira Schottky. O diodo Schottky possui ampla aplicação em dispositivos e aparelhos eletrônicos, sendo peça fundamental na indústria da microeletrônica. O diodo a ser descrito é constituído de uma camada de
Publicado em: 2007
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21. Estudo da estabilidade termodinâmica de filmes ultrafinos de HfO/sub 2/ sobre Si
O presente estudo relata a composição, transporte atômico, estabilidade termodinâmica e as reações químicas durante tratamentos térmicos em atmosfera de argônio e oxigênio, de filmes ultrafinos de HfO2 depositados pelo método de deposição química de organometálicos na fase vapor (MOCVD) sobre Si, contendo uma camada interfacial oxinitretada em
Publicado em: 2007
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22. Transistor de base metálica tipo "p" eletrodepositado
O Transistor de base metálica (TBM) é um tipo especial de transistor idealizado e desenvolvido no início da década de 1960, que possui potencial interesse no desenvolvimento atual de dispositivos spintrônicos. O objetivo principal desta tese é desenvolver e caracterizar um TBM tipo p fabricado inteiramente por eletrodeposição, buscando potenciais apl
Publicado em: 2007
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23. Study of charge transport layers in polymer light emitting diodes. / Estudo de camadas transportadoras de cargas em diodos emissores de luz poliméricos.
In the present work, the study of the optical and electrical properties of polymeric electroluminescent devices known as Polymer Light-Emitting Diodes (PLEDs) and the development of Hole Transport Layers (HTLs) to promote an increase of the electrical efficiency of the devices was performed. PLEDs were constructed with structures like Anode/HTL/Electrolumine
Publicado em: 2007
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24. Produção e caracterização de filmes finos de óxido de zinco intrínsecos e dopados com alumínio e boro
Filmes finos de óxido de zinco intrínsecos (ZnO) e dopados com Alumínio (ZnO:Al) e Boro (ZnO:B) foram depositados por spray-pirólise sobre substratos de vidro. Foi estudada a influência de parâmetros como a concentração de dopante, temperatura de substrato (TS) e processamento térmico sob vácuo sobre as propriedades estruturais, óticas e elétrica
Matéria (Rio de Janeiro). Publicado em: 2006-09