Filmes De Nb2o5 Zr
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1. Produção e caracterização de filmes finos recobertos com albumina e fibronectina
Propriedades relacionadas ao aumento da durabilidade dos implantes e respostas biológicas mais rápidas e confiáveis são comumente exploradas em pesquisa científica de diferentes áreas. Os fenômenos físico-químicos que ocorrem na superfície da interface osso/implante determinam as respostas biológicas subsequentes à implantação do biomaterial e,
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 28/06/2012
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2. Preparation and characterization of sol gel Nb2O5:Zr thin films / Preparação e caracterização de filmes finos sol-gel de Nb2O5:Zr
Este trabalho apresenta resultados da preparação e caracterização de filmes finos de pentóxido de nióbio (Nb2O5) dopados com isopropóxido de zircônio (IV) Zr[O(CH2)2CH3]4, obtidos via processo sol-gel. A adição do precursor dopante teve como finalidade estudar a sua influência sobre as propriedades eletroquímicas destes filmes. Os sóis destinado
Publicado em: 2009
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3. Investigation of the oxide phase formation and study of microstructure and morphology influence on Electrochromic properties of Nb2O5 thin films. / Investigação da formação da fase óxido e estudo da influência da microestrutura e morfologia nas propriedades eletrocrômicas de filmes finos de Nb2O5.
O Nb2O5 é conhecido por sua capacidade de variação da absorção ótica, que ocorre em função de um duplo processo de redução e intercalação de íons pequenos, como o Li+. Neste trabalho, filmes eletrocrômicos de Nb2O5 foram produzidos através do método de Pechini e depositados por dip- coating. Inicialmente o efeito das variáveis de composiçã
Publicado em: 2002
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4. Estrategias para obtenção de precursores unicos para a deposição de Nb2O5 ZrO2 e CuO por deposição quimica de vapor por metalorganicos
The aims of this work were to propose and study precursors for low pressure chemical vapor deposition of metal oxides thin films of niobium, zirconium and copper to be used in the electronic industry. This work describes the synthesis and characterization of four new precursors for MOCVD: [Nb(OPr)5]2 (2.1), [Nb(OPr)5(HOPr)] (2.2), [{Zr(HOBu)2(HFTB)2}(HOBu)]
Publicado em: 2002