Densidade De Estados De Interface
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1. Fatores de risco cardiovasculares associados à síndrome de fragilidade em idosos hospitalizados: um estudo transversal
RESUMO CONTEXTO E OBJETIVO: A identificação da síndrome de fragilidade em idosos hospitalizados em interface com fatores de risco cardiovascular é relevante, pois pode contribuir para a ampliação do conhecimento sobre essa relação no nível de serviço terciário. Este estudo objetivou avaliar os fatores de risco cardiovascular associados à síndr
Sao Paulo Med. J.. Publicado em: 2016-10
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2. Cálculos de estrutura eletrônica de materiais e nanoestruturas com inclusão de autoenergia: Método LDA - 1/2. / Electronic structure calculations of material and nanostructures with the inclusion of the self-energy: the LDA - 1/2 method.
Neste trabalho, utilizamos o desenvolvimento recente do método DFT/LDA-1/2 para cálculos de estados excitados em materiais. Começamos com um resumo da teoria do funcional da densidade (DFT) e incluímos uma introdução ao método LDA-1/2 para cálculos de excitações em sólidos. Na compilação dos resultados esperamos ter demonstrado a utilidade do LD
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 13/12/2011
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3. Caracterização elétrica e físico-química de estruturas dielétrico/4H-SiC obtidas por oxidação térmica
O carbeto de silício (SiC) apresenta várias propriedades extremamente interessantes para a fabricação de dispositivos eletrônicos submetidos a condições extremas como alta temperatura (300 a 600 °C), alta frequência e alta potência. Além disso, é o único semicondutor composto que, reagindo com o oxigênio, forma um óxido isolante estável, o Si
Publicado em: 2010
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4. Caracterização elétrica de oxinitretos de silício ultrafinos para porta PMOS obtidos por implantação de nitrogênio na estrutura Si-poli/SiO2/Si. / Electrical characterization of ultrathin silicon oxynitrides for pmos gate obtained by nitrogen implantation in the Si-poli/Si02/Si structure.
Neste trabalho foram fabricados e caracterizados eletricamente capacitores MOS com óxido de silício ultrafino (2,6 nm) com porta de silício policristalino (Si-poli) P+ e N+. Os capacitores MOS com porta de Si-poli dopados com boro tiveram a estrutura Si-poli/SiO2/Si previamente implantada com nitrogênio nas doses de 1.10POT.13, 1.10POT.14, 1.10POT.15e 5.
Publicado em: 2008
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5. Investigação da adsorção de arsênio e ácidos organofosfônicos em minerais de alumínio através de uma nova abordagem baseada na teoria do funcional de densidade
O arsênio é um elemento ubíquo, encontrado na atmosfera, em águas superficiais e subterrâneas, solos e rochas, e também nos seres vivos. Sua mobilização no meio ambiente depende de vários fatores como clima, intemperismo e atividade biológica, por exemplo. Entretanto, fatores antropogênicos como a mineração e queima de combustíveis fósseis tam
Publicado em: 2008
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6. Development of devices based on GaAs substrate with passivation by ECR plasma / Desenvolvimento de dispositivos baseados em substrato de GaAs com passivação por plasma ECR
Este trabalho apresenta um método simples de passivação de superfícies semicondutoras III-V de substratos de arseneto de gálio (GaAs) e de heteroestruturas de fosfeto de gálio-índio sobre arseneto de gálio (InGaP/GaAs), que são utilizados em transist res de efeito de campo, MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) e MISFET Metal-Insulato
Publicado em: 2007
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7. Caracterização elétrica de estruturas metal/dielétrico high-k/Si
Foram estudadas as propriedades elétricas de estruturas MOS envolvendo materiais com Zr e Hf: Al/HfO2/Si, Al/HfAlO/Si, Al/ZrO2/Si e Al/ZrAlO/Si depositadas por JVD (Jet Vapor Deposition) submetidas a diferentes doses de implantação de nitrogênio e tratamentos térmicos; Au/HfO2/Si e Au/HfxSiyOz/Si preparadas por MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposi
Publicado em: 2007
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8. Propriedades magnéticas de nanopartículas de ferro em substratos antiferromagnéticos
O efeito de tamanho finito nas propriedades magnéticas de sistemas de partículas ferromagnéticos é um tema recorrente. Um dos aspectos largamente investigados é o limite superparamagnético em que a temperatura desestabiliza a ordem magnética de partículas ferromagnéticas pequenas. Acima da temperatura de bloqueio o valor médio térmico do mom
Publicado em: 2007
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9. Propriedades de pontos quanticos de InP/GaAs / Structural and optical properties of InP/GaAs type II quantum dots
Neste trabalho estudamos as propriedade estruturais e ópticas de pontos quânticos auto-organizados de InP crescidos sobre o substrato de GaAs. Esta estrutura apresenta o alinhamento de bandas tipo-II na interface, confinando o elétron no ponto quântico, enquanto o buraco mantém-se na barreira, próximo à interface devido à interação coulombiana atra
Publicado em: 2006
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10. Study and fabrication of MOS capacitor with PECVD SiOxNy. / Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD.
Neste trabalho foram fabricados e caracterizados capacitores MOS com camada dielétrica de oxinitreto de silício de diferentes composição química, depositada pela técnica de PECVD a baixa temperatura, com o intuito de estudar suas propriedades dielétricas e de interface visando à aplicação deste material em dispositivos MOS e de filme fino. Os capac
Publicado em: 2003
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11. Relaxação de portadores via interação eletron-fonon em pontos e poços quanticos
A interação entre elétrons e fônons é um importante ingrediente para qualquer discussão realista das propriedades ópticas em sistemas de dimensão reduzida. É também relevante para determinar a dinâmica de portadores em dispositivos semicondutores e para o estudo das transições radiativas em dispositivos fotônicos. Adicionalmente, existe muito i
Publicado em: 1999
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12. Analise da dimensionalidade do emissor de um diodo de tunelamento ressonante
Neste trabalho discutimos a influência da formação de um gás bidimensional na interface emissor-barreira sobre a densidade de corrente de um diodo de tunelamento ressonante de dupla barreira de GaAs-A1GaAs. A formação desse gás bidimensional em função da voltagem aplicada ocorre em dispositivos onde camadas de GaAs não dopadas são crescidas entre
Publicado em: 1995