Crescimento Cristais Semicondutores Compostos
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1. Crescimento e caracterização de cristais de GaSb e GaInSB obtidos através do método Czochralski com líquido encapsulante
Este trabalho descreve a obtenção e caracterização de cristais compostos semicondutores III-V GaSb e GaInSb, levemente dopados com alumínio (Al), cádmio (Cd) e telúrio (Te). O Antimoneto de Gálio é um composto semicondutor da família III-V, com característica optoeletrônica e termofotovoltaica, de aplicação preferencial para uma nova geração
Publicado em: 2011
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2. Estudo da influência do alumínio como dopante e do ultra-som em cristais de antimonieto de galio crescidos por LEC
Este trabalho descreve a obtenção e caracterização de cristais do composto semicondutor III-V-GaSb, crescidos a partir da fase líquida pelo método Czochralski e pela técnica do Líquido Encapsulante (LEC). Na parte experimental, apresenta-se o procedimento utilizado para o crescimento de cristais de GaSb não-dopados e dopados com Alumínio. Faz-se re
Publicado em: 2009
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3. Growth and characterization of low dimensional structures for applications in the visible spectrum / Crescimento e caraterização de estruturas de baixa dimensionalidade para aplicações no espectro visivel
Os nitretos (Ga, Al, In)N assim como os compostos GaInP, GaCuO2, representam um sistema de materiais muito importante para as aplicações em opto-eletrônica e dispositivos tais como os diodos emissores de luz (LEDs), lasers e nanosensores. Entretanto, o requisito essencial para as aplicações industriais desses materiais é a redução em seus tamanhos. N
Publicado em: 2007
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4. Gravações de microestruturas atraves de ataque fotoeletroquimico de fosfeto de indio
O tema desta tese é o estudo do ataque fotoeletroquímico (FEQ) de InP, uma área de grande interesse para a indústria opto-eletrônica. Cristais de InP foram corroídos em HClaq utilizando luz homogênea com o objetivo de estudar o processo de ataque e a formação de microestruturas na superfície da amostra. Padrões gerados holograficamente foram grava
Publicado em: 1995