Circuitos Integrados De Baixa Tensao
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1. Impacto de técnicas de redução do consumo de energia no projeto de SoCs Multimedia / The impact of design techniques in the reduction of power consumption of SoCs Multimedia
A indústria de semicondutores sempre enfrentou fortes demandas em resolver problema de dissipação de calor e reduzir o consumo de energia em dispositivos. Esta tendência tem sido intensificada nos últimos anos com o movimento de sustentabilidade ambiental. A concepção correta de um sistema eletrônico de baixo consumo de energia é um problema de vár
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 16/06/2011
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2. Sensor de pressão microeletromecânico com fonte de referência em tensão / Microelectronic pressure sensor with voltage reference
Apresentamos neste trabalho a fabricação e a caracterização de um sensor de pressão totalmente compatível com a tecnologia CMOS. Este sensor é constituído por quatro piezoresistores, implantados e dispostos em ponte de Wheatstone. Os processos de fabricação do sensor foram todos realizados no Centro de Componentes e Semicondutores (CCS) - Unicamp.
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 06/08/2010
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3. Projeto de uma fonte de tensão de referência CMOS usando programação geométrica. / CMOS voltage reference source design via geometric programming.
Nesta dissertação é apresentada a aplicação da programação geométrica no projeto de uma fonte de tensão de referência de baixa tensão de alimentação que pode ser integrada em tecnologias padrões CMOS. Também são apresentados os resultados experimentais de um projeto da fonte de bandgap feito por um método de projeto convencional, cuja experi
Publicado em: 2010
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4. Geração de tensão de referencia e sinal de sensoriamento termico usando transistores MOS em forte inversão / Reference voltage and temperature sensing signal generation using MOS transistors in strong inversion
Fontes de referência de tensão e sensores de temperatura são blocos extensivamente utilizados em sistemas microeletrônicos. Como alternativa à aplicação de estruturas consolidadas, mas protegidas por acordos de propriedade intelectual, é permanente a demanda pelo desenvolvimento de novas técnicas e estruturas originais destes circuitos. Também se d
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 07/08/2009
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5. Transistor level automatic generation of radiation-hardened circuits / Geração automática de circuitos tolerantes a radiação no nível de transistores
Tecnologias submicrônicas (DSM) têm inserido novos desafios ao projeto de circuitos devido a redução de geometrias, redução na tensão de alimentação, aumento da freqüência e aumento da densidade de lógica. Estas características reduzem significativamente a confiabilidade dos circuitos integrados devido a suscetibilidade a efeitos como crosstalk
Publicado em: 2009
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6. MEMS-PCB : tecnologia e implementação fisica de micro-chaves em placa de circuito impresso para aplicação em RF e micro-ondas / PCB-MEMS : technology and physical implementation of micro switches on printed circuit board for RF and microwave application
O desenvolvimento de chaves MEMS (Micro Electro Mechanical System) de RF, usando os conceitos e a tecnologia de placa de circuito impresso (PCB) é objeto desta pesquisa. Foram fabricadas micro-chaves na configuração paralela, sobre guias de onda coplanares (CPW). Recentemente, suas aplicações vêm sendo direcionadas a circuitos mais sofisticados, onde s
Publicado em: 2009
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7. Development of MEMS switch device technology MEMS - MicroelectromechanicalSystems - for RF - radio frequency - and new topologies of RF CMOS integrated circuits for radio receivers input sub-systems / Desenvolvimento de tecnologia de dispositivos chaves MEMS - MicroelectromechanicalSystems - para RF - Radio Frequencia - e novas topologias para circuitos integrados CMOS de RF em sub-sistemas de entrada de radio receptores
Este trabalho apresenta dois tópicos de pesquisa, o primeiro é referente ao projeto e desenvolvimento da tecnologia de fabricação de Chaves MEMS (Micro Electro Mechanical System) de RF e o segundo é o projeto de circuitos integrados. No que se refere a chaves MEMS, descreve-se o processo e a metodologia para projeto de Chaves MEMS paralela sobre linha d
Publicado em: 2008
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8. Leakage current modeling in sub-micrometer CMOS complex gates / Modelagem de corrente de fugas em portas lógicas CMOS submicrométricas
Para manter o desempenho a uma tensão de alimentação reduzida, a tensão de threshold e as dimensões dos transistores têm sido reduzidas por décadas. A miniaturização do transistor para tecnologias sub-100nm resulta em um expressivo incremento nas correntes de fuga, tornando-as parte significativa da potencia total, alcançando em muitos casos 30-50%
Publicado em: 2008
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9. Núcleos IP corretores de erros para proteção de memória em SoC
O constante avanço no processo de fabricação de circuitos integrados tem reduzido drasticamente a geometria dos transistores e os níveis das tensões de alimentação. Em circuitos de alta densidade operando a baixa tensão, as células de memória são capazes de armazenar informação com menos capacitância, o que significa que menos carga ou corrente
Publicado em: 2008
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10. Sensor de pressão microeletronico baseado no efeito piezoMOS / Microelectronic pressure sensor based on the piezoMOS effect
Apresentamos neste trabalho um sensor de pressão de baixo consumo de potência. totalmente compatível com o processo de fabricação CMOS. constituído por um amplificador operacional sensível ao estresse mecânico fabricado sobre uma membrana. O desenho do layout do amplificador é feito de forma a maximizar o efeito do estresse sobre os transistores do
Publicado em: 2006
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11. Design of low-voltage CMOS class-AB operational amplifiers / Projeto de amplificadores operacionais CMOS classe-AB operando em baixa tensão de alimentação
This dissertation describes the process of designing rail-to-rail operational amplifiers in CMOS technology. To accomplish this, the author focused on four distinct structures. The four topologies have rail-to-rail input stage with gm-control circuit and Class-AB output stage with quiescent-current control. The specification of three configurations included
Publicado em: 2006