Bombardeio Ionico
Mostrando 1-7 de 7 artigos, teses e dissertações.
-
1. Preparação e caracterização de nanoestruturas de carbono contendo nitrogenio / Synthesis and characterization of carbon nanostructires containing nitrogen
Nesta tese são apresentados os efeitos nas propriedades estruturais, eletrônicas e de emissão eletrônica por efeito de campo elétrico induzidos pela incorporação de nitrogênio em nanoestruturas de carbono. As nanoestruturas de carbono contendo nitrogênio foram preparadas por pulverização catódica (sputtering) de um alvo de grafite assistido, ou n
Publicado em: 2007
-
2. Filmes finos de SiO2 nanoporosos produzidos por irradiação iônica : dependência com a energia de irradiação e propriedades refletoras
Íons de diferentes números atômicos e com energias entre 1 e 2200 MeV foram usados para bombardear em fluências baixas, filmes de SiO2 crescidos termicamente sobre substrato de silício. Após a irradiação, os filmes foram submetidos a um ataque químico em solução aquosa de HF, produzindo buracos cônicos nesses filmes, com abertura que variaram de
Publicado em: 2007
-
3. Plasma etching of polysilicon and silicon nitride films for MEMS and CMOS technology / Corrosão por plasma de filmes de silicio policristalino e nitreto de silicio para tecnologia MEMS e CMOS
Este trabalho apresenta os resultados e as discussões dos mecanismos de corrosão por plasma de filmes de silício policristalino e nitreto de silício para aplicações em dispositivos MEMS e CMOS. A corrosão foi feita em um reator convencional de corrosão por plasma em modo RIE (Reactive Ion Etching). Para aplicação em MEMS, corrosões de silício pol
Publicado em: 2005
-
4. Effects of carbon matrix pressure on xenon atoms / Efeitos da pressão exercida por uma matriz de carbono em atomos de xenonio
Neste trabalho foi preparada uma série de filmes de carbono amorfo pelo processo de IBAD (Ion Beam Assisted Deposition), onde foi utilizado um feixe iônico de Xe com energia fixa para todas as amostras em 1500eV para realizar sputtering em um alvo de grafite e, um segundo feixe de Xe + responsável pelo bombardeio do filme durante o crescimento. Para cada
Publicado em: 2005
-
5. Cristalização epitaxial de ligas de SiGe sobre GaAs por laser pulsado
Neste trabalho se estudou pela primeira vez a cristalização e a epitaxia por laser pulsado para a obtenção de filmes de SixG e1-x(x = 0, 0.1, 0,25, 0,5, 0,75 e 1) sobre substratos de GaAs. Foram utilizados pulsos de laser de Nd:Yag ? l =532 nm ? com duração de 7ns e spot size de 2 a 3 mm. Camadas ou multicamadas amorfas de Ge, Si ou SiGe foram deposita
Publicado em: 2004
-
6. Estudo das propriedades fisicas de nitreto de carbono amorfo obtido por decomposição assistida por feixe de ions (IBAD)
Considero que este trabalho contribui na interpretação coerente de resultados espectroscópicos de XPS, UPS, IR, Raman e UV-VIS de um conjunto de mais de 80 filmes de a-C, a-C:H, a-CNxe a-CNx:H depositados por deposição assistida por feixe de íons (IBAD). A variação controlada de parâmetros como a [N], [H], temperatura, corrente e energia de íons in
Publicado em: 2000
-
7. Propriedades optico-estruturais de filmes de a-Ge:H crescidos por Sputtering assistido por feixe de ions
Neste trabalho, apresentamos resultados experimentais de filmes de germânio amorfo hidrogenado, que são relacionados com a influência de parâmetros de deposição como temperatura do substrato, hidrogenação da amostra, taxa de deposição e bombardeamento in situ. As amostras foram depositadas pela técnica de Ion Assisted Ion Beam Sputtering, na qual
Publicado em: 1998