Teoria de impurezas isoeletronicas em ligas III-V

AUTOR(ES)

Maristella Fracastoro-Decker

DATA DE PUBLICAÇÃO

1980

RESUMO

Neste trabalho é estudado sistematicamente o modelo de Kleiman para o potencial criado por uma impureza isoeletrônica numa liga III-V. Este modelo atribui ao potencial de impureza uma componente de curto alcance e uma de longo alcance (20-25 Þ ), ambas atrativas. A presença desta última componente está em contraste com as interpretações tradicionais da física deste tipo de impurezas e obriga a uma revisão da origem deste potencial de alcance mais extenso, anteriormente atribuído à relaxação da rede. O modelo é aplicado ao caso de Ga(As,P):N, estudado em detalhe e comparado com a experiência. O acordo entre os resultados obtidos e os dados é muito bom

ASSUNTO(S)

ligas (metalurgia) focalização isoeletrica

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