Simulação bidimensional de dispositivos MOSFET
AUTOR(ES)
Guido Costa Souza de Araujo
DATA DE PUBLICAÇÃO
1990
RESUMO
Com a drástica diminuição das dimensões nas novas gerações de transistores MOS VLSI, um aumento considerável de efeitos dimensionais no comportamento destes dispositivos tem surgido. Isto traz como conseqüência imediata, a impossibilidade de utilização dos modelos clássicos analíticos no projeto e no estudo destes transistores. A proposta deste trabalho é a de desenvolver um simulador bidimensional para transistores MOSFET de canal curto, que permita uma caracterização precisa destes dispositivos em equilíbrio termodinâmico. Nesta situação, a influência de efeitos dimensionais sobre VT pode ser melhor estudada, possibilitando assim a obtenção de uma primeira aproximação para o projeto destes dispositivos
ASSUNTO(S)
circuitos transistorizados engenharia eletrica microeletronica
ACESSO AO ARTIGO
http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000026459Documentos Relacionados
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