Projeto de um circuito integrado inteligente de potencia implementado em tecnologia convencional CMOS
AUTOR(ES)
Saulo Finco
DATA DE PUBLICAÇÃO
1996
RESUMO
Este trabalho de tese foi motivado por resultados experimentais que comprovaram eficiência dos transistores LDD-NMOS e LDSD-NMOS na manipulação de potência. Tais transistores são passíveis de serem construídos em tecnologias digitais convencionais, capazes de serem integrados monoliticamente com os seus circuitos de controle. Na primeira parte do Capítulo 1 é apresentado o atual contexto de aplicações do mercado mundial deste segmento da eletrônica, na segunda parte contém um breve histórico do desenvolvimento desta pesquisa no Brasil. No Capítulo 2 são apresentados os principais tópicos da engenharia dos dispositivos de potência, necessários para compreender o modelamento elétrico e a construção dos transistores LDD e LDSD-NMOS, constituindo uma célula de comutação aplicável em inumeras topologias de conversão de potência. No Capítulo 3 é apresentado o principal objeto desta tese que é o projeto de um Dispositivo Inteligente de Potência, cuja funcionalidade é convesão CC-CC, para uma topologia Boost Converter. O circuito foi construído monoliticamente em um processo digital 1.5mm SP DML. Neste capítulo o projeto é descrito estruturalmente e funcionalmente. O comportamento global foi comprovado por simulação elétrica realizada com o netlist extraído do layout. Do mesmo modo a estrutura e a funcionalidade de cada bloco individual que compõem o circuito são também analisadas e comprovadas por simulação elétrica. O circuito foi implementado e testado. Em uma primeira análise os resultados experimentais concordam com os resultados de simulação no entanto não estão no âmbito do estudo apresentado nesta tese. No Capítulo 4 é feita uma recapitulação geral dos tópicos abordados e são apresentadas as potencialidades que este trabalho de pesquisa tem. Algumas metas são colocadas como desafio para a continuidade deste trabalho
ASSUNTO(S)
circuitos integrados circuitos de comutação transistores de potencia transistores de efeito de campo circuitos eletronicos - projetos fisica do estado solido
ACESSO AO ARTIGO
http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000188667Documentos Relacionados
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