Instabilidades estruturais e eletrônicas em nanofios de silício com metais encapsulados

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DATA DE PUBLICAÇÃO

2010

RESUMO

O presente trabalho aborda nanofios de silício cuja estabilidade pode ser alcançada a partir do encapsulamento de metais de transição das séries 4d (Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag) e 5d (Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au). É importante ressaltar que a estrutura utilizada como unidade fundamental para tais fios, que consiste de um prisma formado por duas faces hexagonais de silício com um metal de transição em seu centro, já foi sintetizada em trabalho experimental[1]. Os resultados já obtidos mostram a existência de dois mínimos de energia distintos, com geometrias que diferem pelo encadeamento das unidades hexagonais ao longo do fio, para alguns dos elementos encapsulados, tais como Nb, Mo, Tc, Hf, W, Re, Os, enquanto para os demais metais das séries 4d e 5d um só mínimo é obtido. Pela estrutura de bandas desses fios, observamos um comportamento metálico para todos os elementos. Porém, alguns deles (Zr, Nb, Ta, Re) mostraram sofrer instabilidade de Peierls, o que provoca aberturas de gap variando entre 0.03 eV (Ta) e 0.21 eV (Zr).

ASSUNTO(S)

física teses teoria do funcional da densidade metais em transição instabilidade de peierls monômeros nanofios dímeros aglomerados de silício

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